[发明专利]闪存的读电路的控制装置和方法

权利要求书

1.一种闪存的读电路的控制装置，其特征在于，闪存包括多个存储单元，各所述存储单元都采用分离栅浮栅器件；

所述分离栅浮栅器件包括：第一源漏区和第二源漏区，位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅顶部的控制栅；

沟道区位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间且被各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构所覆盖，各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构各控制所述沟道区的一个区域段；

各所述第一栅极结构的所述浮栅作为一个存储位；

各所述第一栅极结构的所述控制栅连接到对应的控制栅线；

各所述第二栅极结构连接到对应的字线；

读电路用于在读操作时为各所述控制栅线提供控制栅电压以及为所述字线提供字线电压；

在对选定的所述存储单元的读操作中，控制装置用于实现对未选定存储位的所述控制栅电压和所述字线电压进行控制，包括：

设置第一时间段，所述第一时间段为实现对所述选定的所述存储单元的选定存储位进行读取的时间；

将所述第一时间段内的所述未选定存储位的所述控制栅电压设置为第一高电压以及将所述字线电压设置为第二高电压，所述第一高电压保证所述未选定存储位的所述第一栅极结构所控制的所述沟道区的区域段导通以及所述第二高电压保证所述第二栅极结构所控制的所述沟道区的区域段导通；

在所述第一时间段后设置第二时间段，在所述第二时间段内，所述未选定存储位的所述控制栅电压经历一个以上的依次降低的第一中电压，所述字线电压经历一个以上的依次降低的第二中电压；各所述第一中电压位于所述第一高电压和低电压之间，各所述第二中电压位于所述第二高电压和所述低电压之间，用以防止在所述第二时间段内产生读取干扰。

2.如权利要求1所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：在所述读操作中，所述选定存储位的所述控制栅电压设置为所述低电压。

3.如权利要求1所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：所述第二时间段内，各所述第一中电压对应的时间段组成多个第一时间子段，各所述第二中电压对应的时间段组成多个第二时间子段。

4.如权利要求3所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：各所述第二时间子段和对应的所述第一时间子段的起始时间和终止时间都相同。

5.如权利要求4所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：所述第一时间段、所述第二时间段对应的各所述第一时间子段的起始时间和终止时间通过多个读使能信号控制，所述读使能信号的数量和所述第一时间段、所述第二时间段对应的各所述第一时间子段的个数和相同。

6.如权利要求5所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：各所述读使能信号都为脉冲信号。

7.如权利要求6所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：所述控制装置还包括设置：

芯片使能信号，所述芯片使能信号设置所述闪存的芯片使能时间段。

8.如权利要求7所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：在所述芯片使能时间段中，由所述第一时间段和所述第二时间段组成一个循环单元并循环一次以上；

所述芯片使能时间段结束时，所述未选定存储位的所述控制栅电压和所述字线电压都设置为所述低电压；

所述芯片使能信号同时作为脉冲宽度最大的所述读使能信号。

9.如权利要求7所述的闪存的读电路的控制装置，其特征在于：在所述第二时间段结束后还包括第三时间段，所述第三时间段中，所述未选定存储位的所述控制栅电压和所述字线电压都设置为所述低电压；

在所述芯片使能时间段中，由所述第一时间段、所述第二时间段和所述第三实际段组成一个循环单元并循环一次以上。