[发明专利]一种闪存的纠错配置方法、纠错方法、系统、设备及介质

说明书

本申请提供了一种闪存的纠错配置方法、纠错方法、系统、设备及介质，属于存储设备技术领域。方法包括：获取LDPC模块中存储器的目标存储容量；获取与LDPC模块对应的闪存页中需要进行纠错的初始数据的数据容量；根据数据容量将目标存储容量平均划分成多个存储单元，其中，每个存储单元的容量与数据容量相同；在硬解过程中，确定存储单元中至少两个为读取操作后存放待纠错数据的第一存储单元，并确定剩下的多个存储单元为完成硬解操作后存放待导出数据的第二存储单元。本申请节省了数据的读取时间，在某一项待纠错数据硬解完成，还可以进行下一项待纠错数据的硬解操作，不会因为待导出数据还没导出而导致无法执行硬解操作，从而提高了LDPC纠错的速度。

技术领域

本申请涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种闪存的纠错配置方法、纠错方法、系统、设备及介质。

背景技术

NAND闪存是一种非易失性存储器，通常被用作移动设备、数码相机和固态硬盘等的主要存储介质，它由多个物理页面(physical page)组成，每个物理页面由多个逻辑页面(logical page)组成。在使用NAND闪存时，经常会发生硬件故障，例如因芯片退化而导致数据位错误(bit error)，以及因外部干扰(例如温度、电压变化)而引起的误写入(writedisturb)，这些错误会导致数据丢失或损坏，因此需要一种纠错机制来修复这些错误。

相关技术中，常通过低密度奇偶校验码(Low Density Parity Check Code，LDPC)模块进行纠错，纠错包括硬解(hard decoding)和软解(soft decoding)两个方面。但是，在对page进行纠错的时候，只能将page里面的数据一个一个进行纠错，page里面的下一个数据只能等待前面数据完成纠错操作后才被读取，而读取page里面的数据时间又较长，因此降低了LDPC纠错的速度。

发明内容

本申请实施例的主要目的在于提出一种闪存的纠错配置方法、纠错方法、系统、设备及介质，能够提高LDPC纠错的速度。

为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出了一种闪存的纠错配置方法，所述方法包括：获取LDPC模块中存储器的目标存储容量；获取与所述LDPC模块对应的闪存页中需要进行纠错的初始数据的数据容量；根据所述数据容量将所述目标存储容量平均划分成多个存储单元，其中，每个所述存储单元的容量与所述数据容量相同；在硬解过程中，确定所述存储单元中至少两个为读取操作后存放待纠错数据的第一存储单元，并确定剩下的多个所述存储单元为完成硬解操作后存放待导出数据的第二存储单元；其中，所述LDPC模块在硬解纠错过程中将读取到的所述初始数据转换得到所述待纠错数据，并存放在所述第一存储单元中，所述LDPC模块在对所述待纠错数据进行硬解操作之后，将硬解后生成的待导出数据存放在所述第二存储单元中。

在一些实施例中，所述获取LDPC模块中存储器的目标存储容量，包括：获取LDPC模块在执行硬解操作或软解操作过程中所需要的最小存储容量；将所述最小存储空间作为所述LDPC模块中存储器的目标存储容量。

在一些实施例中，所述目标存储容量为所述LDPC模块在执行软解操作过程中所需要的所述最小存储容量，所述最小存储容量通过以下步骤得到：读取软解操作过程中所述闪存页的初始数据，得到硬数据；基于所述硬数据重读所述初始数据得到多个软数据；确定所述硬数据和多个所述软数据在软解操作后得到的待导出数据的第一数据容量；确定所述硬数据和多个所述软数据总共的第二数据容量，根据所述第一数据容量和所述第二数据容量计算得到所述最小存储容量。

在一些实施例中，当所述目标存储容量为所述最小存储容量，所述方法还包括：在硬解过程中，确定所述存储单元中的两个为读取操作后存放待纠错数据的所述第一存储单元；确定剩下的多个所述存储单元为完成硬解操作后存放待导出数据的所述第二存储单元。