[发明专利]一种闪存的纠错配置方法、纠错方法、系统、设备及介质在审

专利信息
申请号: 202310526426.X 申请日: 2023-05-10
公开(公告)号: CN116662063A 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 毛榆钧;刘弋波;赖鼐;龚晖 申请(专利权)人: 珠海妙存科技有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 赵伟杰
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 纠错 配置 方法 系统 设备 介质
【权利要求书】:

1.一种闪存的纠错配置方法,其特征在于,所述方法包括:

获取LDPC模块中存储器的目标存储容量;

获取与所述LDPC模块对应的闪存页中需要进行纠错的初始数据的数据容量;

根据所述数据容量将所述目标存储容量平均划分成多个存储单元,其中,每个所述存储单元的容量与所述数据容量相同;

在硬解过程中,确定所述存储单元中至少两个为读取操作后存放待纠错数据的第一存储单元,并确定剩下的多个所述存储单元为完成硬解操作后存放待导出数据的第二存储单元;

其中,所述LDPC模块在硬解纠错过程中将读取到的所述初始数据转换得到所述待纠错数据,并存放在所述第一存储单元中,所述LDPC模块在对所述待纠错数据进行硬解操作之后,将硬解后生成的待导出数据存放在所述第二存储单元中。

2.根据权利要求1所述的闪存的纠错配置方法,其特征在于,所述获取LDPC模块中存储器的目标存储容量,包括:

获取LDPC模块在执行硬解操作或软解操作过程中所需要的最小存储容量;

将所述最小存储空间作为所述LDPC模块中存储器的目标存储容量。

3.根据权利要求2所述的闪存的纠错配置方法,其特征在于,所述目标存储容量为所述LDPC模块在执行软解操作过程中所需要的所述最小存储容量,所述最小存储容量通过以下步骤得到:

读取软解操作过程中所述闪存页的初始数据,得到硬数据;

基于所述硬数据重读所述初始数据得到多个软数据;

确定所述硬数据和多个所述软数据在软解操作后得到的待导出数据的第一数据容量;

确定所述硬数据和多个所述软数据总共的第二数据容量,根据所述第一数据容量和所述第二数据容量计算得到所述最小存储容量。

4.根据权利要求2或3所述的闪存的纠错配置方法,其特征在于,当所述目标存储容量为所述最小存储容量,所述方法还包括:

在硬解过程中,确定所述存储单元中的两个为读取操作后存放待纠错数据的所述第一存储单元;

确定剩下的多个所述存储单元为完成硬解操作后存放待导出数据的所述第二存储单元。

5.根据权利要求3所述的闪存的纠错配置方法,其特征在于,若所述LDPC模块还用于进行软解操作,所述方法还包括:

在软解过程中,确定所述存储单元中的一个为完成软解操作后存放待导出数据的所述第二存储单元;

确定剩下的多个所述存储单元为读取操作后存放待纠错数据的所述第一存储单元,所述软解过程中的所述待纠错数据为所述硬数据和多个所述软数据;

其中,所述LDPC模块在软解纠错过程中将读取到的所述初始数据转换为所述待纠错数据,并存放在所述第一存储单元中,所述LDPC模块在对所述待纠错数据进行软解操作之后,将软解后生成的待导出数据依次存放在所述第二存储单元中。

6.一种闪存的纠错方法,其特征在于,应用在闪存中,所述闪存设置有闪存页和对应的LDPC模块,所述LDPC模块中设置有至少两个第一存储单元和多个第二存储单元;

所述方法包括:

读取所述闪存页中的初始数据,得到第一硬数据,将所述第一硬数据存放在其中一个所述第一存储单元中;

继续读取所述闪存页中剩下的所述初始数据,并得到第二硬数据,将所述第二硬数据存放在另一个所述第一存储单元中;

将所述第一硬数据和所述第二硬数据作为待纠错数据,依次对所述待纠错数据进行硬解操作,并将硬解后生成的待导出数据依次存放在所述第二存储单元中。

7.根据权利要求6所述的闪存的纠错方法,其特征在于,若所述LDPC模块还用于进行软解操作,则所述LDPC模块中设置有多个所述第一存储单元和一个所述第二存储单元,所述方法包括:

读取所述闪存页中的初始数据,并得到第三硬数据;

基于所述第三硬数据重读所述初始数据得到多个软数据;

将所述第三硬数据和多个所述软数据存放对应的多个所述第一存储单元中;

将所述第三硬数据和多个所述软数据作为待纠错数据,依次对所述待纠错数据进行软解操作,并将软解后生成的待导出数据存放在所述第二存储单元中。

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