[发明专利]用于蚀刻系统的晶片轮廓

说明书

基板蚀刻系统包含将晶片保持在面朝上方向上的支撑件、可横向移动跨越支撑件上的晶片的分配器臂(该分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至晶片的顶面的一部分上)及监测系统，该监测系统包含可横向移动跨越支撑件上的晶片的探针。

本申请是申请日为2017年5月5日、申请号为201780027089.2.、名称为“用于蚀刻系统的晶片轮廓”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开内容涉及蚀刻系统中的基板监测。

背景技术

通常通过在硅晶片上的连续沉积、图案化、及蚀刻导电、半导电或绝缘层来在基板上形成集成电路。一个制造步骤涉及了沉积导电层、图案化蚀刻掩模以保护导电层、及使用液体蚀刻剂(“湿蚀刻”)来蚀刻导电层以形成隔离的导电线路。蚀刻掩模层保护膜的经屏蔽区域不被蚀刻。对于某些应用来说，直到导电层的未经屏蔽区域“清除”及下层的顶表面经暴露前，皆通过蚀刻经沉积的导电层来形成隔离的导电线路。在一些应用中，对未经屏蔽区域的清除的检测被称为终点检测，且该清除的检测可用于决定何时停止蚀刻工艺。

上游工艺步骤及湿蚀刻工艺的差异通常导致跨越晶片的经蚀刻导电线路的不均匀性。可(举例而言)使用临界尺寸(CD)测量来决定非均匀性。CD测量的方法包含使用扫描式电子显微镜(SEM)的自上而下测量或横截面测量。举例而言，可使用聚焦离子束(FIB)工艺来制备横截面。导电线路的横截面测量可提供包含线路的宽度、高度及底切程度的信息。

发明内容

在一态样中，基板蚀刻系统包含将晶片保持在面朝上方向上的支撑件、可横向移动跨越支撑件上的晶片的分配器臂(该分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至晶片的顶面的一部分上)及监测系统，该监测系统包含可横向移动跨越支撑件上的晶片的探针。

实施可包含一或多个下列特征。

可以以分配器臂固定探针且该探针与该分配器臂一起移动。可以以第二臂固定探针且该探针与该第二臂一起移动

监测系统可包含光学监测系统。光学监测系统可包括光源、检测器及光学组件，以将来自该光源的光传送至基板及将来自该基板的反射光传送至该检测器。光学组件可包含光纤，及探针可包含邻近支撑件定位的该光纤的一端。

控制器可经配置以从监测系统接收测量。控制器可经配置以决定是否放置不正确类型的晶片于支撑件上。控制器可经配置以检测晶片在支撑件上的错置。控制器可经配置以检测蚀刻速率与目标蚀刻速率分布的差异，及调整端口的停留时间或蚀刻剂的流速以减小蚀刻速率与目标蚀刻速率分布的差异。

在另一态样中，一种基板蚀刻系统包含：支撑件，该支撑件将晶片保持在面朝上方向上；分配器臂，该分配器臂可横向移动跨越该支撑件上的该晶片，该分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至该晶片的顶面的一部分上；监测系统，该监测系统包含可横向移动跨越该支撑件上的该晶片的探针；及控制器，该控制器经配置以使该探针横向移动跨越该晶片，使得该监测系统在该晶片上的多个不同的径向位置处产生测量，以从该监测系统接收所述测量，以基于来自该晶片上的多个区域的每个区域内的径向位置的测量，来决定对于该区域而言是否已达到处理终点，及一旦决定对于所有所述区域而言已达到该终点时，使该分配器停止自该输送端口分配该液体蚀刻剂。

实施可包含一或多个下列特征。

监测系统可包含光学监测系统。控制器可经配置以通过检测由该光学监测系统所监测的光的波长处的强度变化来决定已达到处理终点。控制器可经配置以一旦决定对于个别区域而言已达到终点时，使分配器停止分配液体蚀刻剂至该个别区域。控制器可经配置以直到决定对于所有区域而言皆已达到终点，使分配器持续跨越多个区域。