[发明专利]利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法

权利要求书

1.一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，包括以下具体步骤：

S1：在待测试薄膜表面制备电极，并与待测试薄膜组成电容器；

S2：使用探针台将电极与网络分析仪进行连接，并在连接前对电路进行阻抗匹配；

S3：测量待测薄膜在不同频率下的谐振频率及该谐振频率下的S21参数；

S4：利用S3测试出的S参数，计算出不同频率下薄膜的电容与Q值；

S5：利用S4所得出的电容，计算出不同频率下薄膜的介电常数。

2.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，S1中：所制备的电极分布在被测薄膜的表面。

3.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，S1中，所制备的电极的面积根据薄膜尺寸1:100等比例调整。

4.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，S2中：网络分析仪在与电极连接之前，进行开路校准、短路校准和负载校准。

5.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，所制备的电容器与网络分析仪采用双端口并联直通法进行连接。

6.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，S3中：对S参数进行测试的过程中，样品置于信号屏蔽箱内。

7.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，S4中：先利用S参数计算出被测样品的阻抗后，在计算电容与Q值。

8.根据权利要求1所述的一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，S5中：使用保角映射法，计算电极共面电容的介电常数。