[发明专利]处理腔室、基片处理方法及处理装置

说明书

本申请公开了一种处理腔室、基片处理方法及处理装置。处理腔室包括腔体组件以及腔门组件；腔体组件包括腔体；腔门组件包括喷淋板以及腔门，喷淋板设置在腔门上，腔门组件关闭时喷淋板盖设在腔体的一端，腔体与喷淋板围设成处理空间，喷淋板可向处理空间通入处理气体。本申请所提供的处理腔室，喷淋板盖设在腔体上，简化了处理腔室及其内部结构，在处理腔室占用相同使用空间的情况下增加了腔体的内部空间，使得腔体可容纳更大、更多的基片，提高了处理的产能，降低了处理的生产成本；采用喷淋板向处理空间通入处理气体，使得处理空间内的气流更加均匀稳定，可提高基片处理的均匀性。

技术领域

本发明涉及基片处理技术领域，特别涉及一种处理腔室、基片处理方法及处理装置。

背景技术

很多基片处理过程需要气体的参与，控制气体的流量、流场等是气体参与的处理过程的重要着眼点，另外，对于处理装置而言，通过更少的部件实现相同或更优的效果也是设备制造商一致研究的重点。

例如在化学气相沉积相关领域，从产能角度，产业中需要同时对大量的基片进行处理，控制气流的均匀稳定是确保基片处理均匀性的关键。另外，在原子层沉积方法中，由于需要通入不同的气体，其对气体的控制要求更高，现有用于原子层沉积的处理腔室多采用双层腔体结构，包括外腔体和内腔体，内腔体容置在外腔体中，加热系统设在外腔体和内腔体之间，内腔体的一端连接有进气管，内腔体的相对一端连接有真空泵。进气管向内腔体中通入处理气体，外腔体填充有惰性气体，真空泵可对内外腔体同时抽气，并用抽气控制内腔体中的处理气体的流向，通过对处理气体的量的控制，来沉积一层或多层原子层。随着基片技术的发展，基片的尺寸越来越大，这种双层腔体结构的内腔体由于容置空间有限，难以满足大尺寸基片的生产要求，而扩大内腔体的体积势必导致外腔体占用更大的空间，使得处理腔室的结构复杂、体积大、成本高。此外，采用进气管供气难以在处理腔室内形成均匀稳定的气流，导致基片处理的均匀性差。因此，提供一种结构简单、体积小、低成本以及气流均匀稳定的处理腔室成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请提供一种处理腔室，可解决处理腔室的结构复杂、体积大、成本高以及气流均匀性稳定性差的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供的处理腔室包括腔体组件以及腔门组件；腔体组件包括腔体；腔门组件包括喷淋板以及腔门，喷淋板设置在腔门上，腔门组件关闭时喷淋板盖设在腔体的一端，腔体与喷淋板围设成处理空间，喷淋板可向处理空间通入处理气体。

本申请提供一种基片处理方法，处理方法包括：

将装载有基片的载具转移到如上所述的处理腔室内；

将喷淋板盖设在腔体上，通过喷淋板向处理空间内通入处理气体对基片进行处理。

本申请提供一种处理装置，该处理装置包括至少两个处理腔室在水平或竖直方向上层叠设置并连接，相邻两个处理腔室在连接处的侧壁上对应开设有开口，以使至少两个处理腔室相互连通；处理腔室包括腔体，腔体内容置有装载基片的载具，载具与腔体内侧壁之间设置有加热器，加热器分布在腔体的四周；腔体的一端设有喷淋板，喷淋板的出气部分面积与载具的截面对应，喷淋板与腔体围设成处理空间，喷淋板可向处理空间通入处理气体并对基片进行处理。

本申请所提供的处理腔室，喷淋板盖设在腔体上，简化了处理腔室及其内部结构，在处理腔室占用相同使用空间的情况下增加了腔体的内部空间，使得腔体可容纳更大、更多的基片，提高了处理的产能，降低了处理的生产成本；采用喷淋板向处理空间通入处理气体，使得处理空间内的气流更加均匀稳定，可提高基片处理的均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请提供的处理腔室一实施例的结构示意图；