[发明专利]一种氧化物绝缘层的制备方法与应用在审
| 申请号： | 202310407465.8 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN116666388A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘贤哲;陈澳;李颖欣;李岩;陈宥彬;张会琪;吴家聪;张婷婷;黄爱萍;罗坚义 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 罗新 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 绝缘 制备 方法 应用 | ||
1.一种氧化物绝缘层的制备方法，其特征在于，包括：
在ITO玻璃衬底上涂覆前驱体溶液后升温退火处理得到氧化物绝缘层薄膜；
所述升温过程采用梯度升温的方法从室温升温至350℃～500℃；
所述梯度升温的方法为以20～100℃为梯度保温停留，所述保温停留的时间为1～2min。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述梯度升温的方法为以100℃为梯度保温停留，所述保温停留的时间为2min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述升温退火处理过程的退火温度为350～500℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的时间为30～60min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述升温退火处理过程的退火温度为400℃，所述退火处理的时间为30～45min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中的溶质包括Zr(NO3)4·5H2O、ZrO(NO3)2、(C5H8O2)4Zr、C12H28O4Zr、HfCl4、(C5H 8O2)4Hf、Al(NO3)3·9H2O、AlCl3和Ti[OCH(CH3)2]4中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中的溶剂包括C3H8O2、CH3CH2OH、(CH2OH)2、C3H7NO和C5H9NO中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液的浓度为0.1～0.6mol/L。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述涂覆前还包括对所述前驱体溶液灌氧。
10.一种薄膜电子器件，其特征在于，所述薄膜电子器件的制备原料包括如权利要求1～9任一项所述的制备方法制备的氧化物绝缘层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
