[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板包括：衬底以及位于所述衬底上的驱动电路层；所述驱动电路层包括像素电路；所述像素电路包括第一类型薄膜晶体管和存储电容；所述第一类型薄膜晶体管包括氧化物有源层、第一栅极和第二栅极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一栅极位于同一金属层，所述第二极板与所述第一类型薄膜晶体管的目标膜层位于同一金属层，所述目标膜层为所述氧化物有源层和所述第二栅极中的一个。上述阵列基板的厚度相对较小，有利于阵列基板的轻薄化。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

目前，低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)技术是在同一背板上同时制备低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管的技术。其中，低温多晶硅薄膜晶体管具有开关速度高、功耗小的优点；氧化物薄膜晶体管具有载流子迁移率高、沉积温度低以及透明度高的优点。LTPO技术可以充分发挥两种薄膜晶体管的优势，保证显示装置具备良好的显示性能。

但是，而基于LTPO技术形成的阵列基板中，所需要的金属层较多，其阵列基板在厚度方向的尺寸较大。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决相关技术中的阵列基板在厚度方向的尺寸较大的问题。

第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：衬底以及位于所述衬底上的驱动电路层；所述驱动电路层包括像素电路；

所述像素电路包括第一类型薄膜晶体管和存储电容；所述第一类型薄膜晶体管包括氧化物有源层、第一栅极和第二栅极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一栅极位于同一金属层，所述第二极板与所述第一类型薄膜晶体管的目标膜层位于同一金属层，所述目标膜层为所述氧化物有源层和所述第二栅极中的一个。

本申请提供的阵列基板，包括衬底以及位于衬底上的驱动电路层，驱动电路层包括像素电路，像素电路包括第一类型薄膜晶体管和存储电容，由于第一类型薄膜晶体管的第一栅极和存储电容的第一极板位于同一金属层；存储电容的第二极板与第一类型薄膜晶体管的氧化物有源层或第二栅极位于同一金属层，因此，通过金属层的复用，无需如相关技术中设置额外的金属层作为存储电容的第二极板以及薄膜晶体管的第一栅极，则本申请的阵列基板相对相关技术减少了金属层，从而降低了阵列基板的厚度，有利于阵列基板的轻薄化。另外，第一类型薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管的漏电较少，因此，可以减少像素电路的漏电，保证显示装置具备良好的显示性能。

第二方面，本申请提供了一种显示面板，显示面板包括如第一方面所述的阵列基板。

本申请提供的显示面板，包括上述的阵列基板，由于上述的阵列基板相对相关技术的阵列基板减少了金属层，降低了厚度，则包括上述阵列基板的显示面板相对相关技术的显示面板也会减少金属层，进而降低厚度，从而显示面板的轻薄化。

第三方面，本申请提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成驱动电路层，其中，所述驱动电路层包括多个像素电路，所述像素电路包括薄膜晶体管和存储电容；所述薄膜晶体管包括氧化物有源层、第一栅极和第二栅极，所述氧化物有源层为氧化物有源层，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一栅极位于同一金属层，所述第二极板与第二栅极位于同一金属层。