[发明专利]改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法

说明书

本申请提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括低压器件区、中压器件区和高压器件区；步骤S2，回刻蚀中压器件区和低压器件区的有源区；步骤S3，在中压器件区和低压器件区形成第一栅氧化层；步骤S4，去除低压器件区的第一栅氧化层；步骤S5，在低压器件区形成第二栅氧化层。本申请同时对中压器件区和低压器件区的有源区进行回刻蚀，避免单独回刻蚀高压器件区和中压器件区对低压器件区的隔离部件的消耗，确保低压器件区的隔离部件高于有源区，不增加低压器件的漏电。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法。

背景技术

作为第三代的显示技术的有机发光二极管(OLED)是一种电流注入复合发光型器件，主要优点是亮度高、对比度高、视角宽、响应速度快、工作电压低、适应性强、能量转换效率高、制作工艺简单等，由于OLED巨大的技术优势和应用前景，因此受到学术界和产业界的广泛关注。

OLED属于电流驱动型器件，OLED的电流密度依赖于两端的驱动电压，如图1所示，电压越高，电流密度越大，发光亮度越大。在长时间的使用过程中，OLED器件本身会老化，其电压、电流密度、发光亮度之间的关系不一直保持恒定。OLED器件的老化，最直接的表现就是OLED开启电压上升以及发光效率的降低。为维持相同的发光亮度，就必须增加流过OLED的电流，所以在OLED中需要集成高压器件来实现大电流的功能。另一方面，OLED内部的存储模块有限，必须选取外部的存储器对图像数据进行存储。静态存储器(SRAM)由于高的读写速度和在加电的情况下不用进行刷新操作就能保持数据成为OLED中常用的存储器。

随着逻辑器件技术节点的进步，结合先进技术节点的OLED技术正在持续开发，目前最先进的量产技术是结合低工艺节点高介电材料金属栅极的技术，其可以利用先进节点的高性能和低电压。在该技术中，需要集成低压SRAM和高压驱动器件，而高压器件需要厚的栅氧化层，这会影响金属栅工艺的实施。为了与金属栅工艺兼容，会对高压器件区域(HV)进行有源区的回刻(Recess)，然后生长厚氧化硅，使栅氧化层与有源区的高度尽量一致，便于后续工艺的实施。

在对高压器件区域进行有源区回刻的过程中，会消耗较多的位于低压器件区域(LV)的浅沟槽隔离(STI)，进而导致有源器件MOS和无源二极管等低压器件的有源区200高于浅沟槽隔离201，如图2所示，造成漏电的增加。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，用于解决现有金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电增加的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，包括：

步骤S1，提供一衬底，衬底包括低压器件区、中压器件区和高压器件区；

步骤S2，回刻蚀中压器件区和低压器件区的有源区；

步骤S3，在中压器件区和低压器件区形成第一栅氧化层；

步骤S4，去除低压器件区的第一栅氧化层；

步骤S5，在低压器件区形成第二栅氧化层。

优选的，采用干法刻蚀工艺实施该回刻蚀。

优选的，实施该回刻蚀之前，对中压器件区和低压器件区进行阱区掺杂。

优选的，实施步骤S2之前，对高压器件区的有源区进行回刻蚀。

优选的，对高压器件区的有源区进行回刻蚀后，还包括在高压器件区形成第三栅氧化层的步骤。

优选的，采用热氧化生长工艺形成第一栅氧化层和第二栅氧化层。

优选的，采用湿法腐蚀工艺去除低压器件区的第一栅氧化层。