[发明专利]电极制作方法、电极和半导体器件

说明书

本发明提供一种电极制作方法、电极和半导体器件，属于半导体器件领域，方法包括在硅衬底表面溅射预设厚度的电极层；调整光刻机的曝光参数，通过调整后的光刻机在电极层的表面制备侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，其中，调整后的光刻机发出的光线在光刻胶的制备过程中发生衍射效应；根据光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形。本发明利用光线的衍射效应，通过调整光刻机的曝光参数，制备出侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，通过调整干法刻蚀工艺参数，制备出侧壁呈斜坡结构的电极图形，减少电极图形与薄膜之间因高度差而造成的影响，避免在后续工艺过程中造成薄膜的破裂。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种电极制作方法、电极和半导体器件。

背景技术

半导体芯片具有非常广泛的应用，为了实现体积小型化，半导体芯片会引入薄膜用以实现对应功能。薄膜质量不仅与自身成膜工艺参数有关，还与下层电极材料的粗糙度、晶格取向有关。电极材料与薄膜材料的晶格失配度越小，则在电极上沉积的薄膜的晶格取向越好。同时，电极图形的侧壁形貌，也直接影响薄膜的成膜质量。

现有的电极图形侧壁形貌较为徒直，则在电极图形的边缘处会产生较大的高度差，对沉积在电极边缘薄膜的晶格结构和薄膜应力造成严重影响，易在后续工艺过程中造成薄膜的破裂。

发明内容

本发明提供一种电极制作方法、电极和半导体器件，用以解决现有技术中若电极图形侧壁形貌较为徒直，则在电极图形的边缘处会产生较大的高度差，对沉积在电极边缘薄膜的晶格结构和薄膜应力造成严重影响，易在后续工艺过程中造成薄膜的破裂的缺陷。

本发明提供一种电极制作方法，包括：

在硅衬底表面溅射预设厚度的电极层；

调整光刻机的曝光参数，通过调整后的所述光刻机在所述电极层的表面制备侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，其中，调整后的所述光刻机发出的光线在所述光刻胶的制备过程中发生衍射效应；

根据所述光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对所述电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形。

根据本发明提供的一种电极制作方法，所述调整光刻机的曝光参数，包括：

基于预设的所述光刻胶图形对应的斜坡角度，确定所述光刻机对应的曝光参数值；

根据所述曝光参数值，调整所述光刻机的曝光参数；

其中，所述曝光参数至少包括焦面，所述斜坡角度与所述焦面负相关。

根据本发明提供的一种电极制作方法，所述根据所述光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对所述电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形，包括：

根据所述光刻胶图形的位置，确定刻蚀区域；

根据所述刻蚀工艺参数调整方案，控制所述刻蚀机在所述刻蚀区域对所述电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形；

其中，在刻蚀过程中，所述光刻胶图形用作所述电极层的掩膜。

根据本发明提供的一种电极制作方法，所述光刻胶图形对应的斜坡角度范围为30°~80°。

根据本发明提供的一种电极制作方法，所述电极图形对应的斜坡角度范围为5°~40°。

根据本发明提供的一种电极制作方法，所述刻蚀工艺参数调整方案包括待调整的刻蚀工艺参数以及所述刻蚀工艺参数对应的调整方案。