[发明专利]一种MiniLED封装基板的生产工艺

说明书

本发明涉及到MiniLED封装基板的技术领域，公开了一种MiniLED封装基板的生产工艺，包括有取料，中间层图形电镀，增层压合，激光钻孔，Bottom面图形电镀，快速蚀刻，印刷阻焊层，灯珠芯片元件焊接以及塑封分割等工序；在本发明当中可以使得正面铜层上线路以及焊垫之间的间距更小，且间距之间由绝缘介质层填充，降低了导体之间因间距过小而可能造成的微短路或者金属迁移导致的电子器件失效的机率，同时由于正面铜层上的线路被绝缘介质层包裹，可以降低运输，跌落，碰撞等过程中导致的剥离失效机率；且使得MiniLED封装基板的厚度更低，产品更为轻薄。

技术领域

本发明涉及到线路板芯片技术领域，具体涉及一种MiniLED封装基板的生产工艺。

背景技术

Mini LED指由像素阵列以及驱动电路组成且像素中心间距为0.3-1.5mm的智能发光单元，其可实现更精准的光线控制，且由于采用无机发光材料，从而获得了更佳的性能、更低的功耗以及高对比度和更久的使用寿命。其芯片尺寸介于50～200μm之间，故而对用于承载芯片实现电气连接的封装基板也提出了更高的要求。

传统的LED封装基板是上下表面为导体层，中间为绝缘层。当但芯片尺寸进入到50-100μm时，此种结构的基板焊垫之间的间距需要控制在30-50微米，此时传统的基板加工工艺则会出现加工困难以及良率低下的问题

因此，急需一种可以满足小尺寸芯片封装需求并解决上述问题的MiniLED封装基板的生产工艺的出现。

发明内容

本发明为克服上述情况不足，旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。

一种MiniLED封装基板的生产工艺，包括有以下步骤：

S1、取料，选取Coreless材料或Detach材料作为基板，所述基板的上侧包括有增层铜箔，所述基板的下侧包括有承载板；

S2、中间层图形电镀，在所述增层铜箔上面贴膜，然后曝光并显影出正面图形的线路及焊垫，然后电镀出正面铜层并除去干膜；所述基板上包括有至少两个分离且完全相同的线路及焊垫；

S3、压合，先将线路棕化处理以增加其表面粗糙度，然后填入绝缘介质层并在绝缘介质层的上方压合设置有压合铜箔；

S4、激光钻孔，先将压合铜箔减薄，然后棕化处理并采用激光钻孔加工出40微米至100微米的盲孔；

S5、Bottom面图形电镀，通过沉铜使盲孔内部和表面金属化，然后贴膜、曝光、显影并图形电镀完成盲孔填孔和背面铜层的生成，最后采用高压去膜消除干膜；

S6、快速蚀刻，去除承载板后，将与承载板接触的铜箔蚀刻掉以得到埋入绝缘介质层中正面铜层的线路及焊垫，线路与所述绝缘介质层的高度不大于3微米；同时将背面的底铜也即是压合铜箔蚀刻掉以得到背面焊垫；

S7、印刷阻焊层，通过曝光、显影、UV固化以及烘烤流程在正面铜层处得到想要的焊盘开窗并完全固化；然后对正面铜层及背面铜层裸露出来金属焊盘通过沉镍金进行表面处理；

S8、元件焊接，将灯珠芯片焊接连接在正面铜层的焊盘上；

S9、塑封分割，对焊接芯片元件后的基板进行塑封处理，然后将基板分割成相同的至少两个成品MiniLED的ETS封装基板。

优选地，在所述S1步骤中，所述基板的厚度范围为0.1毫米至0.2毫米；其中保护铜箔的厚度为12微米至18微米；其中用于增层的铜箔厚度为2微米至5微米。

优选地，在所述S2步骤中，线路间距10微米至50微米，正面铜层的厚度为10微米至30微米；所述干膜的厚度为15微米至35微米。