[发明专利]一种MiniLED封装基板的生产工艺

权利要求书

1.一种MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，包括有以下步骤：

S1、取料，选取Coreless材料或Detach材料作为基板，所述基板的上侧包括有增层铜箔，所述基板的下侧包括有承载板；

S2、中间层图形电镀，在所述增层铜箔上面贴膜，然后曝光并显影出正面图形的线路及焊垫，然后电镀出正面铜层并除去干膜；所述基板上包括有至少两个分离且完全相同的线路及焊垫；

S3、压合，先将线路棕化处理以增加其表面粗糙度，然后填入绝缘介质层并在绝缘介质层的上方压合设置有压合铜箔；

S4、激光钻孔，先将压合铜箔减薄，然后棕化处理并采用激光钻孔加工出40微米至100微米的盲孔；

S5、Bottom面图形电镀，通过沉铜使盲孔内部和表面金属化，然后贴膜、曝光、显影并图形电镀完成盲孔填孔和背面铜层的生成，最后采用高压去膜消除干膜；

S6、快速蚀刻，去除承载板后，将与承载板接触的铜箔蚀刻掉以得到埋入绝缘介质层中正面铜层的线路及焊垫，线路与所述绝缘介质层的高度差不大于3微米；同时将背面的底铜也即是压合铜箔蚀刻掉以得到背面焊垫；

S7、印刷阻焊层，通过曝光、显影、UV固化以及烘烤流程在正面铜层处得到想要的焊盘开窗并完全固化；然后对正面铜层及背面铜层裸露出来金属焊盘通过沉镍金进行表面处理；

S8、元件焊接，将灯珠芯片焊接连接在正面铜层的焊盘上；

S9、塑封分割，对焊接芯片元件后的基板进行塑封处理，然后将基板分割成相同的至少两个成品MiniLED的ETS封装基板。

2.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S1步骤中，所述基板的厚度范围为0.1毫米至0.2毫米；其中保护铜箔的厚度为12微米至18微米；其中用于增层的铜箔厚度为2微米至5微米。

3.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S2步骤中，线路间距10微米至50微米，正面铜层的厚度为10微米至30微米；所述干膜的厚度为15微米至35微米。

4.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S3步骤中，棕化量1微米至2微米以形成1.5微米至3微米长度的棕化绒毛；所述绝缘介质层的厚度为20微米至60微米；所述压合铜箔的厚度为12微米至18微米。

5.根据权利要求4所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S4步骤中，棕化处理后的压合铜箔厚5微米。

6.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S5步骤中，所述背面铜层的厚度为10微米至30微米。

7.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S6步骤中，所述背面焊垫中的一个进缺角设计以进行成品的极性识别；去除承载板时将板边裁剪下1毫米至2毫米。

8.根据权利要求1所述的MiniLED封装基板的生产工艺，其特征在于，在所述S8步骤中，所述灯珠芯片根据需求可以采用正装焊接权利要求书也可以采用倒装焊接。