[发明专利]一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构

说明书

本发明提供了一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构，包括有真空侧接地线，真空侧接地线的一端与下电极连接，在工艺腔上开设有安装孔，安装孔安装有接地线本体，且接地线本体与工艺腔绝缘连接，真空侧接地线的另一端与接地线本体连接，接地线本体连接有大气侧接地线，大气侧接地线一侧与工艺腔连接，大气侧接地线上连接有可变电阻，接地线本体还连接有检测机构，检测机构连接有控制模块，控制模块根据检测结果控制可变电阻的大小，改变大气侧接地线的通断。本发明能够及时的监控真空侧接地线的断裂数量和断裂位置，在局部真空侧接地线断裂的情况下，不需要立马对工艺腔进行保养维护，延长保养工艺腔周期，能够提高设备的产能。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积设备接地结构技术领域，特别指一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构。

背景技术

等离子增强型化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVapor Deposition，PECVD)，用来沉积薄膜诸如：半导体层-非晶硅、绝缘层-氧化硅及氮化硅，是芯片、显示屏与薄膜太阳能领域不可或缺的制作工艺。

现有的化学气相沉积装置如图1所示，化学气体从进气口17进入工艺腔14，籍由上电极气体扩散板18，将气体均匀扩散至工艺腔14，给予射频功率后，化学气体解离成薄膜沉积必备的等离子体。

承载玻璃基板19的下电极15可调节高度，以改变等离子体密度，接地线16将下电极外缘与工艺腔体连接在一起，负责引导等离子体更均匀的沉积薄膜到玻璃基板上，改善薄膜品质。

现行接地线结构局部剖面图如图2所示，接地线16的一端连接下电极15，接地线的另一端连接工艺腔14底部，引导等离子体更均匀分布。接地线由铝材制作成片状长条型。

为避免下电极15长时间动作、持续高温受热，导致接地线金属疲劳断裂，因此下电极设计之初，增加足够多的接地线接口，降低接地线断裂对薄膜品质的影响。图3是接地线组件与下电极的俯视图，从图3中可以看出，下电极外缘密集分布接地线，连接到工艺腔体底部。

镀膜过程中下电极动作幅度、频度与使用温度越高、功率越高，越会缩短接地线使用寿命。如接地线出现单边断裂多根会，导致薄膜的膜厚出现单边偏薄超规，此时薄膜品质无法满足良率需求。而且，接地线断裂除了会导致薄膜膜厚局部超规外，也会改变该区域的薄膜应力，镀膜后玻璃基板如图4所示，第一边长191相较第二边长192短，意味第一边长191内缩增加，导致良率超规，造成工艺腔体需进行耗时5天的保养，频繁的保养导致产能不足，不符合商业利益。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构，检测接地线断裂的情况，并根据接地线断裂的情况，控制与该接地线相对位置上的接地线的通断，从而改善产品的良率，提高产能。

本发明是这样实现的：本发明提供了一种等离子增强型化学气相沉积的接地线结构，包括有复数个真空侧接地线，所述真空侧接地线的一端与下电极连接，在工艺腔上开设有复数个安装孔，每一所述安装孔均安装有一个接地线本体，且所述接地线本体与工艺腔绝缘连接；

所述真空侧接地线的数量与接地线本体的数量一一对应，且所述真空侧接地线的另一端与对应的接地线本体连接，所述接地线本体连接有大气侧接地线，所述大气侧接地线远离接地线本体的一端与工艺腔连接，所述大气侧接地线上连接有可变电阻，所述接地线本体还连接有用于检测真空侧接地线是否断裂的检测机构，所述检测机构连接有控制模块，所述控制模块根据检测结果控制可变电阻的大小，改变大气侧接地线的通断；

所述检测机构包括有阻抗确认导线，所述阻抗确认导线的一端与接地线本体连接，所述阻抗确认导线的另一端与下电极连接，所述阻抗确认导线上设置有阻抗测量组件，所述阻抗测量组件与控制模块电性连接。

进一步的，所述接地线本体由平板和设置在平板顶部的凸台组成，所述凸台嵌入到安装孔内，且所述凸台与安装孔间留有间隙。