[发明专利]一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法

权利要求书

1.一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法包括如下步骤：

S1、选择钙钛矿作为待测样品，将所述待测对象放置于荧光光谱探测系统的样品台上；

S2、调整所述荧光光谱探测系统的光源板块中的激发波长，所述激发波长通过4f系统，进入衰减片，并产生一个功率I_excl，最终照射在所述待测样品上；

S3、所述待测样品产生荧光，所述荧光被所述荧光光谱探测系统的光谱仪吸收，收集I_excl所对应的双光子荧光强度I_2ppll；

S4、调整衰减片，并重复步骤S2，从而产生功率I_exc2-I_excn，以及相应的双光子荧光强度I_2ppl2-I_2ppln；

S5、根据公式logI_2ppl＝b logD·I_exc，将所述I_excl-I_excn和对应的I_2ppl1-I_2ppln代入，进行拟合得到指数系数b，其中D为常数；

其中，所述激发波长的能量hυ满足：

0.5E_g＜hυ＜E_g；

E_g为所述待测样品的光学带隙。

2.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述荧光光谱探测系统包括如下板块：光源板块、4f系统、衰减片、光谱仪，以及若干反射镜。

3.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述钙钛矿选自三维钙钛矿或准二维钙钛矿。

4.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述I_excn和I_2ppln中，n的取值为大于等于3的正整数。

5.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述光源板块的激发波长，取值范围为600-1300nm。

6.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述指数系数b的取值范围为：2≤b≤4。

7.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，4f系统，包括前凸透镜和后凸透镜，其中，所述前凸透镜的焦距小于后凸透镜。

8.根据权利要求1所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述荧光光谱探测系统还包括二向色镜、CCD和滤色片。