[发明专利]透明导电膜及其制备方法和光电器件

权利要求书

1.一种透明导电膜，其特征在于，包括：依次层叠设置的透明基材、水汽阻隔层、第一透明电介质层、修饰层、金属层和第二透明电介质层，

所述修饰层包括第一材料和第二材料，所述第一材料包括金属材料和硅中的至少之一，所述第二材料包括硫化物和第一氧化物中的至少之一。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属材料包括金、铜、锌和钛中的至少之一。

3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述硫化物包括硫化锌，所述第一氧化物包括氧化钼、氧化锌铝、氧化锌、氧化锌锡和氧化镁中的至少之一。

4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述修饰层包括10wt％-50wt％的所述第一材料和50wt％-90wt％的所述第二材料。

5.根据权利要求1-4任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述修饰层的厚度为0.5nm-5nm。

6.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属层包括银合金，所述银合金包括银和掺杂元素，所述掺杂元素包括第一掺杂元素和第二掺杂元素，所述第一掺杂元素包括铜、铝、钛、铬、钼和镍中的至少之一，所述第二掺杂元素包括稀土元素。

7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材包括树脂薄膜；

任选地，所述水汽阻隔层包括含碳氧化物；

任选地，所述第一透明电介质层和所述第二透明电介质层分别独立地包括第二金属氧化物、金属硫化物、金属氟化物、硅氧化物和硅氮化物中至少之一。

8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属层的厚度为1nm-10nm，所述透明基材的厚度为5μm-500μm，所述水汽阻隔层的厚度为20nm-300nm，所述第一透明电介质层的厚度为5nm-100nm，所述第二透明电介质层的厚度为5nm-100nm。

9.一种制备权利要求1-8中任一项所述的透明导电膜的方法，其特征在于，包括：

在透明基材的一侧表面通过沉积工艺依次沉积水汽阻隔层、第一透明电介质层、修饰层、金属层和第二透明电介质层，所述沉积工艺包括离子增强化学气相沉积和磁控溅射中的至少一种。

10.一种光电器件，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的透明导电膜。