[发明专利]图像传感器

说明书

提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。

本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0013619号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种图像传感器，并且更具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

背景技术

图像传感器是捕获图像并将图像转换为电信号的电子设备。图像传感器可以是例如可以应用于诸如数码相机、移动电话相机和便携式摄像机以及安装在汽车、安全设备和机器人上的相机的消费电子设备的CMOS图像传感器。

随着图像传感器的尺寸不断减小，像素的尺寸也在减小。然而，具有相对小尺寸的图像传感器仍应有效地减少像素之间的串扰并提供提高的灵敏度。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种能够减少像素之间的串扰并提高灵敏度的图像传感器。

根据本发明构思的一个方面，图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。

根据本发明构思的实施例，图像传感器包括第一像素。第二像素与第一像素相邻设置。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上，并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置。滤色器设置在后抗反射层上的栅栏结构的两侧处。栅栏结构包括设置在后抗反射层上的阻挡金属层和设置在阻挡金属层上的栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。滤色器埋入在栅栏的下部中从栅栏的两个侧壁向内凹陷的底切部分中。

根据本发明构思的实施例，图像传感器包括第一像素。第二像素与第一像素相邻设置。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。滤色器在后抗反射层上设置在栅栏结构的两侧处。栅栏结构包括设置在后抗反射层上的阻挡金属层和设置在阻挡金属层上的栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。阻挡金属层埋入栅栏中。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1A是根据本发明构思的实施例的图像传感器的示意性电路图；

图1B是根据本发明构思的实施例的图1A的图像传感器的像素阵列区域的布局图；

图2是根据本发明构思的实施例的图像传感器中包括的像素的电路图；

图3是根据本发明构思的实施例的图像传感器的平面图；

图4是根据本发明构思的实施例的沿图3的线A-A'截取的图像传感器的剖视图；

图5是根据本发明构思的实施例的图4的区域EL1的放大图；

图6A和图6B是示出根据本发明构思的实施例的图像传感器的栅栏结构的平面图；

图7是示出根据本发明构思的实施例的图像传感器的栅栏结构的平面图；