[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202310102510.9 | 申请日: | 2023-01-19 |
公开(公告)号: | CN116525630A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 柳制亨;林夏珍;全宅洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 任旭;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
第一像素;
第二像素,与第一像素相邻设置;
像素分离结构,设置在第一像素和第二像素之间;
后抗反射层,设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上;以及
栅栏结构,设置在后抗反射层上并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置,
其中,栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏,阻挡金属层的高度小于栅栏的高度,并且阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一像素和第二像素包括至少一个光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,像素分离结构包括导电层和绝缘衬垫,其中,阻挡金属层是防止擦伤缺陷的金属层。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,栅栏在图像传感器的厚度方向上与后抗反射层间隔开。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,栅栏是绝缘体栅栏或空气栅栏。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:
栅栏设置成与后抗反射层直接接触;并且
阻挡金属层埋入栅栏中。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:
阻挡金属层是平面上完全地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的连接型图案;或者
阻挡金属层是平面上部分地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外周的分离型图案。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,阻挡金属层是平面上以点形式围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外周的点型图案。
9.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
第一像素;
第二像素,与第一像素相邻设置;
像素分离结构,设置在第一像素和第二像素之间;
后抗反射层,设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上;
栅栏结构,设置在后抗反射层上并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置;以及
滤色器,在后抗反射层上设置在栅栏结构的两侧处,
其中,栅栏结构包括设置在后抗反射层上的阻挡金属层和设置在阻挡金属层上的栅栏,其中,阻挡金属层的高度小于栅栏的高度,阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度,并且滤色器埋入在栅栏的下部中从栅栏的两个侧壁向内凹陷的底切部分中。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,滤色器在栅栏的下部的底切部分中直接接触阻挡金属层。
11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,栅栏的上部宽度小于栅栏的下部宽度。
12.根据权利要求9所述的图像传感器,其中:
栅栏在图像传感器的厚度方向上与后抗反射层间隔开;并且
阻挡金属层设置在栅栏的中心部分中。
13.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,像素分离结构包括导电层和绝缘衬垫,其中,阻挡金属层是防止擦伤缺陷的金属层。
14.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,栅栏是绝缘体栅栏或空气栅栏。
15.根据权利要求9所述的图像传感器,其中:
阻挡金属层是平面上完全地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的连接型图案;
阻挡金属层是平面上部分地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的分离型图案;或者
阻挡金属层是平面上以点形式围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的点型图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的