[发明专利]图像传感器在审

专利信息
申请号: 202310102510.9 申请日: 2023-01-19
公开(公告)号: CN116525630A 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 柳制亨;林夏珍;全宅洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 任旭;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:

第一像素;

第二像素,与第一像素相邻设置;

像素分离结构,设置在第一像素和第二像素之间;

后抗反射层,设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上;以及

栅栏结构,设置在后抗反射层上并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置,

其中,栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏,阻挡金属层的高度小于栅栏的高度,并且阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一像素和第二像素包括至少一个光电转换元件。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,像素分离结构包括导电层和绝缘衬垫,其中,阻挡金属层是防止擦伤缺陷的金属层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,栅栏在图像传感器的厚度方向上与后抗反射层间隔开。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,栅栏是绝缘体栅栏或空气栅栏。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:

栅栏设置成与后抗反射层直接接触;并且

阻挡金属层埋入栅栏中。

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中:

阻挡金属层是平面上完全地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的连接型图案;或者

阻挡金属层是平面上部分地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外周的分离型图案。

8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,阻挡金属层是平面上以点形式围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外周的点型图案。

9.一种图像传感器,所述图像传感器包括:

第一像素;

第二像素,与第一像素相邻设置;

像素分离结构,设置在第一像素和第二像素之间;

后抗反射层,设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上;

栅栏结构,设置在后抗反射层上并且定位成在平面图中与像素分离结构叠置;以及

滤色器,在后抗反射层上设置在栅栏结构的两侧处,

其中,栅栏结构包括设置在后抗反射层上的阻挡金属层和设置在阻挡金属层上的栅栏,其中,阻挡金属层的高度小于栅栏的高度,阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度,并且滤色器埋入在栅栏的下部中从栅栏的两个侧壁向内凹陷的底切部分中。

10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,滤色器在栅栏的下部的底切部分中直接接触阻挡金属层。

11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,栅栏的上部宽度小于栅栏的下部宽度。

12.根据权利要求9所述的图像传感器,其中:

栅栏在图像传感器的厚度方向上与后抗反射层间隔开;并且

阻挡金属层设置在栅栏的中心部分中。

13.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,像素分离结构包括导电层和绝缘衬垫,其中,阻挡金属层是防止擦伤缺陷的金属层。

14.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,栅栏是绝缘体栅栏或空气栅栏。

15.根据权利要求9所述的图像传感器,其中:

阻挡金属层是平面上完全地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的连接型图案;

阻挡金属层是平面上部分地围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的分离型图案;或者

阻挡金属层是平面上以点形式围绕栅栏中的第一像素和第二像素的外围的点型图案。

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