[发明专利]一种晶片厚度测量的自适应机构

说明书

本发明公开了一种晶片厚度测量的自适应机构，包括气缸，所述气缸的伸缩端设置有活塞杆，所述活塞杆的输出端设置有滑动销固定板，所述滑动销固定板的顶部设置有滑动销，所述滑动销的顶端设置有定位块安装板，所述定位块安装板的表面贯穿设置有测头，所述定位块安装板的顶部设置有定位块，所述定位块的顶部设置有陶瓷盘，所述陶瓷盘的底部设置有晶片，所述滑动销固定板的表面设置有滑动孔，且滑动孔与滑动销贯穿滑动连接。该一种晶片厚度测量的自适应机构，有效的避免了在进行陶瓷盘移栽到位时平面位置度有差别，更加容易使测量机构能够适应，减小了多块陶瓷盘本身的面型公差影响对测量的误差，有效的提升了晶片测量的精确性。

技术领域

本发明涉及半导体材料晶片加工技术领域，具体为一种晶片厚度测量的自适应机构。

背景技术

硅属于半导体材料，其自身的导电性并不是很好。然而，可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率，制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片，这要从硅锭的生长开始，单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料，多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路，多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片，加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间，这取决于很多因素，包括大小、质量和终端用户要求，超过75％的单晶硅晶圆片都是通过Czochralski(CZ，也叫提拉法)方法生长的。

目前晶片在生产加工过程需要进行厚度测量，现有的晶片厚度测量装置在进行瓷盘移栽到位时平面位置度有差别，很难测量机构无法适应，多块陶瓷盘本身的面型公差影响对测量有较大误差，大大影响了晶片厚度测量的精确性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶片厚度测量的自适应机构，以解决上述背景技术中提出的现有晶片厚度测量装置在进行瓷盘移栽到位时平面位置度有差别，很难测量机构无法适应，多块陶瓷盘本身的面型公差影响对测量有较大误差，大大影响了晶片厚度测量的精确性的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种晶片厚度测量的自适应机构，包括气缸，所述气缸的伸缩端设置有活塞杆，所述活塞杆的输出端设置有滑动销固定板，所述滑动销固定板的顶部设置有滑动销，所述滑动销的顶端设置有定位块安装板，所述定位块安装板的表面贯穿设置有测头，所述定位块安装板的顶部设置有定位块，所述定位块的顶部设置有陶瓷盘，所述陶瓷盘的底部设置有晶片。

优选的，所述滑动销固定板的表面设置有滑动孔，且滑动孔与滑动销贯穿滑动连接。

优选的，所述滑动销的外侧皆套设有弹簧，且滑动销与定位块安装板通过螺纹连接。

优选的，所述滑动销设置的数量为三个，所述定位块和弹簧设置的数量皆为三个。

优选的，所述晶片与陶瓷盘之间通过蜡相互粘贴连接固定，且测头设置的数量为两个。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

该一种晶片厚度测量的自适应机构，在进行日常使用的过程中，通过气缸向上推动使整个测量机构向上运动，当定位块接触到陶瓷盘时，通过三个弹簧的压缩，使三个定位块完全接触到陶瓷盘，从而形成以陶瓷盘为基准的面，同时测头将被压缩，通过压缩量测量到晶片的厚度，有效的避免了在进行陶瓷盘移栽到位时平面位置度有差别，更加容易使测量机构能够适应，减小了多块陶瓷盘本身的面型公差影响对测量的误差，有效的提升了晶片测量的精确性。

附图说明

图1为本发明的主视图；

图2为本发明的滑动销和弹簧连接结构示意图；

图3为本发明的陶瓷盘和晶片连接结构示意图。

图中：1、陶瓷盘；2、定位块；3、定位块安装板；4、滑动销；5、气缸；6、滑动销固定板；7、测头；8、弹簧；9、晶片；10、活塞杆；11、滑动孔。

具体实施方式