[发明专利]记忆体系统及其控制方法

权利要求书

1.一种记忆体系统，其特征在于，包含：

一组记忆体单元，该组记忆体单元中的每一者包含串联连接在一对应位元线与一对应源极线之间的一选择晶体管及一储存部件；及

一记忆体控制器，耦接至该组记忆体单元，该记忆体控制器用于：

在一第一时间周期期间将一第一写入电压施加至耦接至该组记忆体单元中的一选定记忆体单元的一位元线，以将数据写入该选定记忆体单元；

在该第一时间周期期间，将一第二写入电压施加至一字元线，该字元线耦接至该选定记忆体单元的一选择晶体管的一栅极电极；及

在该第一时间周期期间，将一第三写入电压施加至耦接至该选定记忆体单元的一源极线，该第二写入电压介于该第一写入电压与该第三写入电压之间。

2.如权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：

在该第一时间周期期间，将该第二写入电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一另一位元线，该未选记忆体单元耦接至该源极线；及

在该第一时间周期期间，将该第三写入电压施加至耦接至该未选记忆体单元的一另一选择晶体管的一另一栅极电极的一另一字元线。

3.如权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：

在一第二时间周期期间将一第一读取电压施加至耦接至该组记忆体单元中的一另一选定记忆体单元的一另一位元线，以读取由该另一选定记忆体单元储存的数据；

在该第二时间周期期间，将一第二读取电压施加至耦接至该另一选定记忆体单元的一另一源极线；及

在该第二时间周期期间，将一第三读取电压施加至耦接至该另一选定记忆体单元的一另一栅极电极的一另一字元线，该第一读取电压介于该第二读取电压与该第三读取电压之间。

4.如权利要求3所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：

在该第二时间周期期间，将该第一读取电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一附加源极线，该未选记忆体单元耦接至该另一位元线。

5.如权利要求3所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：

在该第二时间周期期间，将该第二读取电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一附加位元线，该未选记忆体单元耦接至该另一源极线；及

在该第二时间周期期间，将该第二读取电压施加至耦接至该未选记忆体单元的一附加栅极电极的一附加字元线。

6.如权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：

在一第二时间周期期间将一第一读取电压施加至耦接至该组记忆体单元中的一另一选定记忆体单元的一另一位元线，以读取由该另一选定记忆体单元储存的数据；

在该第二时间周期期间，将一第二读取电压施加至耦接至该另一选定记忆体单元的一另一源极线；及

在该第二时间周期期间，将一第三读取电压施加至耦接至一另一选择晶体管的一另一栅极电极的一另一字元线，该第二读取电压介于该第一读取电压与该第三读取电压之间。

7.如权利要求6所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：

在该第二时间周期期间，将该第一读取电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一附加位元线，该未选记忆体单元耦接至该另一源极线；及

在该第二时间周期期间，将该第一读取电压施加至耦接至该未选记忆体单元的一附加栅极电极的一附加字元线。

8.一种记忆体系统，其特征在于，包含：

一记忆体阵列，包含：

一第一记忆体单元；

一第二记忆体单元；

一第一字元线，耦接至该第一记忆体单元及该第二记忆体单元；

一第一源极线，耦接至该第一记忆体单元；及

一第二源极线，耦接至该第二记忆体单元；及

一记忆体控制器，用于：

在一第一时间周期期间向该第一字元线施加一第一写入电压，以将数据写入该第一记忆体单元；

在该第一时间周期期间向该第一源极线施加一第二写入电压；及

在该第一时间周期期间向该第二源极线施加该第一写入电压。