[发明专利]压力传感器芯片及其加工方法

说明书

本申请涉及一种压力传感器芯片及其加工方法，其中，加工方法包括：采用SOI硅片制作压力传感器的器件层；采用普通硅片制作器件支撑层，对所述器件支撑层采用TSV工艺，并在器件支撑层的上表面制作器件支撑层金属引线；将器件层以及器件支撑层键合，以使器件层中压力传感器的金属引线与器件支撑层金属引线键合；将器件支撑层金属引线引导至器件支撑层的下表面。整个加工过程，采用金属线键合和TSV工艺，无需充油封装，可以实现简便加工、制造压力传感器芯片。

技术领域

本申请涉及芯片加工技术领域，特别是涉及一种压力传感器芯片及其加工方法。

背景技术

压力传感器是一种将压力信号转换为电信号的传感器，其在各行、各业中得到广泛应用。

MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)压力传感器是一种新型的压力传感器，其适用于高冲击、高过载、导电、腐蚀、辐射等恶劣环境，其在航天航空、军事、工业等领域有广泛应用。

传统的引线键合(金线键合)封装的MEMS压力传感器芯片中，为避免金线受腐蚀通常采用充油技术进行保护，但当环境温度变化较剧烈时由于硅油膨胀会给压力传感器测量带来较大误差，并存在体积大、抗过载能力低、后期封装复杂等问题。因此，目前急需一种全新的压力传感器芯片的加工方案，以避免封装复杂的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种生产简便的压力传感器芯片加工方法以及采用该方法加工得到的压力传感器芯片。

一种压力传感器芯片加工方法，所述方法包括：

采用SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅)硅片制作压力传感器的器件层，采用普通硅片制作器件支撑层；

对所述器件支撑层采用TSV(Through-Silicon-Via，硅通孔技术)工艺，并在器件支撑层的上表面制作器件支撑层金属引线；

将所述器件层以及所述器件支撑层键合，以使所述器件层中压力传感器的金属引线与所述器件支撑层金属引线键合；

将所述器件支撑层金属引线引导至所述器件支撑层的下表面，所述下表面为远离所述器件层一侧的表面。

在其中一个实施例中，所述采用SOI硅片制作压力传感器的器件层包括：

制作包括衬底、埋氧层以及单晶硅层的SOI硅片；

在所述单晶硅层分别制作压敏电阻以及欧姆接触的引线；

在所述单晶硅层制作压力传感器的金属引线；

将所述压力传感器的金属引线与所述欧姆接触的引线相连接。

在其中一个实施例中，所述在所述单晶硅层分别制作压敏电阻以及欧姆接触的引线之后，还包括：

沉积所述埋氧层形成绝缘层；

所述将所述压力传感器的金属引线与所述欧姆接触的引线相连接之后，还包括：

将单晶硅层上表面再次沉积氧化层；

平坦化所述单晶硅层上表面，所述单晶硅层上表面为远离所述埋氧层一侧的表面。

在其中一个实施例中，上述压力传感器芯片加工方法还包括：

在所述单晶硅层制作温度传感器。

在其中一个实施例中，所述在所述器件支撑层的上表面制作器件支撑层金属引线之前，还包括：

在所述器件支撑层采用DRIE刻蚀以形成导通的垂直金属互联孔。

在其中一个实施例中，所述将所述器件支撑层金属引线引导至所述器件支撑层的下表面包括：