[发明专利]一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法在审
| 申请号: | 202310028324.5 | 申请日: | 2023-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN116130336A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 张金风;杨智清;朱家铎;苏凯;任泽阳;何琦;张进成;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/267;C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王丹 |
| 地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 氮化物 材料 终端 金刚石 二维 电子 气异质结 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、获取金刚石层;
其中,所述金刚石层为单晶金刚石材料或多晶金刚石材料;
步骤二、对所述金刚石层表面进行氮终端处理,形成氮终端表面;
步骤三、在所述氮终端表面上外延生长Al面极性纤维锌矿结构的单晶的氮化铝或硼铝氮,形成氮化铝外延层或硼铝氮外延层,以形成基于氮终端金刚石的二维电子气异质结结构;其中,外延生长硼铝氮时,通过在硼铝氮生长过程中调控硼源与铝源的比值生成硼铝氮外延层的硼与铝的组分;
当所述金刚石为单晶金刚石材料时,晶向为(111)或所述金刚石层的晶向为(111)时,所述氮化铝外延层的晶向为(0001);所述金刚石层的晶向为时,所述氮化铝外延层的晶向为
当所述金刚石层为多晶金刚石材料时,外延生长氮化铝或硼铝氮时进行施主杂质掺杂。
2.根据权利要求1所述的一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构的制备方法,其特征在于,所述步骤二中的氮终端处理采用MBE工艺、RIE工艺或者ICP工艺。
3.根据权利要求1所述的一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构的制备方法,其特征在于,所述氮化铝外延层或硼铝氮外延层的厚度为1~30nm。
4.一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构,其特征在于,通过权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到,包括:金刚石层、位于所述金刚石层上的氮终端表面以及位于所述氮终端表面上的Al面极性纤维锌矿结构的氮化铝外延层或硼铝氮外延层;
其中,所述金刚石层为单晶金刚石材料或多晶金刚石材料;
当所述金刚石为单晶金刚石材料时,晶向为(111)或所述金刚石层的晶向为(111)时,所述氮化铝外延层的晶向为(0001);所述金刚石层的晶向为时,所述氮化铝外延层的晶向为
当所述金刚石层为多晶金刚石材料时,所述氮化铝外延层或所述硼铝氮外延层为具有施主掺杂的外延层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院,未经西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310028324.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种容器内脚本执行管控的方法、系统及介质
- 下一篇:一种高可靠性液态钽电容
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





