[发明专利]大马士革结构的制备方法在审
| 申请号： | 202310015879.6 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116072605A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 肖遥;郭振强;王玉新 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 制备 方法 | ||
1.一种大马士革结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一表面镶嵌有金属结构的半导体结构，在所述半导体结构上依次形成层间阻挡层、层间绝缘介质层、牺牲层和硬掩膜层；
刻蚀所述硬掩膜层、所述牺牲层和部分厚度的所述层间绝缘介质层以得到多个沟槽；
在部分所述沟槽中刻蚀剩余厚度的所述层间绝缘介质层和所述层间阻挡层至所述金属结构表面以得到多个接触孔；
形成光刻胶层，所述光刻胶层填充所述接触孔和所述沟槽，以及覆盖所述硬掩膜层；
去除所述硬掩膜层上表面的所述光刻胶层和所述沟槽、所述接触孔中部分厚度的所述光刻胶层，其中，剩余厚度的光刻胶层的上表面不高于所述硬掩膜层的下表面；
去除所述硬掩膜层；
去除所述接触孔和所述沟槽中的剩余厚度的光刻胶层；
形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述接触孔的侧壁以及所述沟槽的的底壁和侧壁；
形成金属互连层，所述金属互连层填充所述接触孔和所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为
3.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在去除所述硬掩膜层之后、以及在去除所述接触孔和所述沟槽中的剩余厚度的光刻胶层之前，所述大马士革结构的制备方法还包括：
采用各向同性干法刻蚀工艺，刻蚀去除部分厚度的所述牺牲层。
4.根据权利要求3所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，刻蚀去除的所述牺牲层的部分厚度为
5.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层上表面的所述光刻胶层和所述沟槽、所述接触孔中部分厚度的所述光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述接触孔和所述沟槽中的剩余厚度的光刻胶层。
7.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。
8.根据权利要求1所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在形成所述扩散阻挡层之后、以及在形成所述金属互连层之前，所述大马士革结构的制备方法还包括：
形成金属缓冲层，所述金属缓冲层覆盖所述扩散阻挡层。
9.根据权利要求8所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，所述金属缓冲层的厚度为
10.根据权利要求1或3所述的大马士革结构的制备方法，其特征在于，在形成所述金属互连层之后，所述大马士革结构的制备方法还包括：
采用化学机械研磨工艺去除超出所述层间绝缘介质层上表面的所述牺牲层和所述金属互连层。
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