[实用新型]一种碳碳气相沉积炉用抽气管路装置

说明书

本实用新型公开了一种碳碳气相沉积炉用抽气管路装置，属于沉积炉技术领域；该装置包括水冷管道；所述水冷管道的侧壁连接有多根分抽水冷管道；所述分抽水冷管道连接有单柱通气管；所述单柱通气管与碳碳气相沉积炉内的沉积室一一对应连接；所述水冷管道还连接有外通气管，所述外通气管与碳碳气相沉积炉位于沉积室以外的炉腔相连接；本实用新型通过在每个沉积室连接单柱通气管，进而对沉积室直接进行抽气，形成了气体分流，使得沉积室在抽气过程中气场分布均匀，提高了沉积效果，保证了碳元素密度均匀性。

技术领域

本实用新型属于沉积炉技术领域，具体为一种碳碳气相沉积炉用抽气管路装置。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，CVD)常用来生产各种高纯固体材料。化学气相沉积碳化硅是通过含有硅、碳元素的小分子前驱物在沉积室内一定条件下分解、反应生成的薄膜材料；碳碳复合材料多采用气相沉积法制备，其主要采用的设备为气相沉积炉。

化学气相沉积技术应用气态物质在固体表面发生化学反应并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：(1)形成挥发性物质；(2)把上述物质转移至沉积区域；(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质；碳碳气相沉积炉在沉积期间需要不断的通过抽真空装置，使沉积室内气体从下向上流动排出，现有的碳碳气相沉积炉通过单管不断抽取沉积炉炉体内的气体使气体在沉积室内均匀有序从下向上流动排出，保证天然气裂解出的碳均匀沉积在产品内部及表面，但是对于大型沉积炉来说，通常炉内具有多个沉积室，这种从炉体进行单管抽气的方式，对于不同位置的沉积室极易造成炉内气场分布不均、沉积效果不佳、密度不均的问题。

现有专利CN 106191816 A一种热丝化学气相沉积炉进出气气路装置及方法，圆柱形腔体的上侧顶角部位沿45度角焊接进气挡板，圆柱形腔体的真空腔室内的底部连接电极柱、抽气室，在沉积腔室底部，电极柱和升降主轴之间焊接一个金属罩作为抽气室壁，在抽气室壁下面的沉积腔室底部上开口作为抽气口，抽气室壁与沉积腔室底部形成抽气室。该技术仍然无法避免仅从沉积炉炉体抽气，也存在由于气场分布不均，导致沉积效果不佳的问题。

现有专利CN 214529233 U一种半导体用具有气场均匀的高温气相沉积炉，包括气相沉积炉壳，所述气相沉积炉壳的底部焊接安装有气相沉积炉底座，气相沉积炉壳顶部安装有橡胶圈，所述橡胶圈的内部开设有位于气相沉积炉壳内部的气相沉积炉内胆，该装置通过在沉积炉盖顶部安装真空泵，通过真空泵和连接管、抽风管、抽气蓬头等装置连接，使得炉内气场变的均匀，增加炉内气场的均匀性，从而达到了提高沉积效率的目的。但是同样，该技术也是从沉积炉盖顶进行抽气，对于大型的具有多个沉积室的沉积炉来说仍然存在气场无法均匀的问题。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提出一种碳碳气相沉积炉用抽气管路装置，解决大型沉积炉单抽气口造成炉内气场分布不均、沉积效果不佳、密度不均的问题。

为了达到上述目的，本实用新型是通过如下技术方案实现的。

一种碳碳气相沉积炉用抽气管路装置，包括水冷管道；所述水冷管道的侧壁连接有多根分抽水冷管道；所述分抽水冷管道连接有单柱通气管；所述单柱通气管与碳碳气相沉积炉内的沉积室一一对应连接；所述水冷管道还连接有外通气管，所述外通气管与碳碳气相沉积炉位于沉积室以外的炉腔相连接。

进一步的，所述水冷管道的底部也连接有单柱通气管。

进一步的，所述单柱通气管的上部设置有测温测压盲板。

进一步的，所述分抽水冷管道通过侧抽连接波纹管与水冷管道相连接。

进一步的，所述外通气管连接在水冷管道的底部。

进一步的，所述水冷管道和分抽水冷管道均设置有水冷夹层，所述分抽水冷管道设置有水嘴。

进一步的，所述水冷管道的端部设置有防爆焊接口。