[实用新型]一种晶圆预控温装置有效
申请号: | 202223320953.5 | 申请日: | 2022-12-09 |
公开(公告)号: | CN219610359U | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 李林东;李新国 | 申请(专利权)人: | 杭州富芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人: | 王曌寅 |
地址: | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆预控温 装置 | ||
本公开提供了一种晶圆预控温装置,用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理,包括:气闸室,在气闸室内设置有控温机构,控温机构包括升温设备与铺设在气闸室底部的金属管路,升温设备用于对金属管路加热,金属管路用于加热晶圆。本公开的晶圆预控温装置,设置在晶圆承载装置与晶圆工艺加工装置之间,用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理,能够避免晶圆在工艺加工前的快速温度切换,增加了晶圆温度变化的过渡阶段,能够防止晶圆内部产生巨大的热应力,导致的晶圆破裂。
技术领域
本公开涉及晶圆制造领域,尤其涉及一种晶圆预控温装置。
背景技术
在晶圆制造工艺中,会有不同的工艺温度,例如去胶工艺需要200多℃,磷酸有160℃,硫酸和双氧水的温度125℃,上述工艺过程都需要对晶圆进行快速的温度切换,晶圆在室温下到反应腔体会有一个快速升温的过程,这会在晶圆内部产生巨大的热应力,而热应力过大则容易导致晶圆的破裂。
实用新型内容
本公开的主要目的在于提供一种晶圆预控温装置,以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
为了实现上述目的,本公开提供了一种晶圆预控温装置,用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理,包括:气闸室,在所述气闸室内设置有控温机构,所述控温机构包括升温设备与铺设在所述气闸室底部的金属管路,所述升温设备用于对所述金属管路加热,所述金属管路用于加热晶圆。
在一可实施方式中,所述金属管路构成蜂窝式网状结构。
在一可实施方式中,还可在对晶圆进行工艺加工后用于对晶圆进行预降温处理,所述金属管路内通设流动的冷却液。
在一可实施方式中,所述金属管路上设置有用于流进所述冷却液的进口和用于流出所述冷却液的出口,所述进口连通冷却液储存机构,在所述出口设置抽液泵,且所述抽液泵的与所述冷却液储存机构连通。
在一可实施方式中,所述控温机构还包括介质层,所述介质层铺设在所述金属管路上层,晶圆放入所述气闸室时,所述晶圆的背面接触于所述介质层。
在一可实施方式中,所述气闸室内还设置有用于检测晶圆温度的温度传感器,所述温度传感器设置在所述介质层上。
在一可实施方式中,在所述介质层上开设有用于放置所述温度传感器的沉孔,在所述温度传感器设置于所述沉孔内时,所述温度传感器的上表面与所述介质层表面对齐。
在一可实施方式中,包括控制器,所述控制器与所述升温设备、所述抽液泵及所述温度传感器通讯连接。
在一可实施方式中,所述气闸室包括第一出入口与第二出入口,所述第一出入口朝向晶圆承载机构,所述第二出入口朝向用于对晶圆进行工艺加工的装置,对晶圆进行预升温处理时,晶圆从所述第一出入口进,从所述第二出入口出;对晶圆进行预降温处理时,晶圆从所述第二出入口进,从所述第一出入口出。
在一可实施方式中,所述气闸室内设置真空切换机构。
本公开的晶圆预控温装置,设置在晶圆承载装置与晶圆工艺加工装置之间,用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理,或者对晶圆进行工艺加工后用于对晶圆进行预降温处理,能够避免晶圆在工艺加工前或者工艺加工后的快速温度切换,增加了晶圆温度变化的过渡阶段,能够防止晶圆内部产生巨大的热应力,导致的晶圆破裂。
应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述,本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式,其中:
在附图中,相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造