[实用新型]一种晶圆预控温装置有效
申请号: | 202223320953.5 | 申请日: | 2022-12-09 |
公开(公告)号: | CN219610359U | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 李林东;李新国 | 申请(专利权)人: | 杭州富芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人: | 王曌寅 |
地址: | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆预控温 装置 | ||
1.一种晶圆预控温装置,用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理,其特征在于,包括:气闸室(1),在所述气闸室(1)内设置有控温机构,所述控温机构包括升温设备与铺设在所述气闸室(1)底部的金属管路(21),所述升温设备用于对所述金属管路(21)加热,所述金属管路(21)用于加热晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述金属管路(21)构成蜂窝式网状结构。
3.根据权利要求1所述的晶圆预控温装置,其特征在于,还可在对晶圆进行工艺加工后用于对晶圆进行预降温处理,所述金属管路(21)内通设流动的冷却液。
4.根据权利要求3所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述金属管路(21)上设置有用于流进所述冷却液的进口(211)和用于流出所述冷却液的出口(212),所述进口(211)连通冷却液储存机构(22),在所述出口(212)设置抽液泵(23),且所述抽液泵(23)的与所述冷却液储存机构(22)连通。
5.根据权利要求4所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述控温机构还包括介质层(3),所述介质层(3)铺设在所述金属管路(21)上层,晶圆放入所述气闸室(1)时,所述晶圆的背面接触于所述介质层(3)。
6.根据权利要求5所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述气闸室(1)内还设置有用于检测晶圆温度的温度传感器(4),所述温度传感器(4)设置在所述介质层(3)上。
7.根据权利要求6所述的晶圆预控温装置,其特征在于,在所述介质层(3)上开设有用于放置所述温度传感器(4)的沉孔(31),在所述温度传感器(4)设置于所述沉孔(31)内时,所述温度传感器(4)的上表面与所述介质层(3)表面对齐。
8.根据权利要求6所述的晶圆预控温装置,其特征在于,包括控制器,所述控制器与所述升温设备、所述抽液泵(23)及所述温度传感器(4)通讯连接。
9.根据权利要求3所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述气闸室(1)包括第一出入口(11)与第二出入口(12),所述第一出入口(11)朝向晶圆承载机构,所述第二出入口(12)朝向用于对晶圆进行工艺加工的装置,对晶圆进行预升温处理时,晶圆从所述第一出入口(11)进,从所述第二出入口(12)出;对晶圆进行预降温处理时,晶圆从所述第二出入口(12)进,从所述第一出入口(11)出。
10.根据权利要求1所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述气闸室(1)内设置真空切换机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造