[实用新型]一种晶圆预控温装置有效

专利信息
申请号: 202223320953.5 申请日: 2022-12-09
公开(公告)号: CN219610359U 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 李林东;李新国 申请(专利权)人: 杭州富芯半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 代理人: 王曌寅
地址: 310051 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆预控温 装置
【权利要求书】:

1.一种晶圆预控温装置,用于在工艺加工前对晶圆进行预升温处理,其特征在于,包括:气闸室(1),在所述气闸室(1)内设置有控温机构,所述控温机构包括升温设备与铺设在所述气闸室(1)底部的金属管路(21),所述升温设备用于对所述金属管路(21)加热,所述金属管路(21)用于加热晶圆。

2.根据权利要求1所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述金属管路(21)构成蜂窝式网状结构。

3.根据权利要求1所述的晶圆预控温装置,其特征在于,还可在对晶圆进行工艺加工后用于对晶圆进行预降温处理,所述金属管路(21)内通设流动的冷却液。

4.根据权利要求3所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述金属管路(21)上设置有用于流进所述冷却液的进口(211)和用于流出所述冷却液的出口(212),所述进口(211)连通冷却液储存机构(22),在所述出口(212)设置抽液泵(23),且所述抽液泵(23)的与所述冷却液储存机构(22)连通。

5.根据权利要求4所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述控温机构还包括介质层(3),所述介质层(3)铺设在所述金属管路(21)上层,晶圆放入所述气闸室(1)时,所述晶圆的背面接触于所述介质层(3)。

6.根据权利要求5所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述气闸室(1)内还设置有用于检测晶圆温度的温度传感器(4),所述温度传感器(4)设置在所述介质层(3)上。

7.根据权利要求6所述的晶圆预控温装置,其特征在于,在所述介质层(3)上开设有用于放置所述温度传感器(4)的沉孔(31),在所述温度传感器(4)设置于所述沉孔(31)内时,所述温度传感器(4)的上表面与所述介质层(3)表面对齐。

8.根据权利要求6所述的晶圆预控温装置,其特征在于,包括控制器,所述控制器与所述升温设备、所述抽液泵(23)及所述温度传感器(4)通讯连接。

9.根据权利要求3所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述气闸室(1)包括第一出入口(11)与第二出入口(12),所述第一出入口(11)朝向晶圆承载机构,所述第二出入口(12)朝向用于对晶圆进行工艺加工的装置,对晶圆进行预升温处理时,晶圆从所述第一出入口(11)进,从所述第二出入口(12)出;对晶圆进行预降温处理时,晶圆从所述第二出入口(12)进,从所述第一出入口(11)出。

10.根据权利要求1所述的晶圆预控温装置,其特征在于,所述气闸室(1)内设置真空切换机构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州富芯半导体有限公司,未经杭州富芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202223320953.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top