[实用新型]碳化硅衬底片用抛光研磨垫有效
申请号: | 202223168624.3 | 申请日: | 2022-11-29 |
公开(公告)号: | CN219027131U | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 许仙薇;林育圣;庄裕峯;郭正富;蔡国基 | 申请(专利权)人: | 青岛嘉展力拓半导体有限责任公司 |
主分类号: | B24B37/26 | 分类号: | B24B37/26;H01L21/67 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 王晶莹 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 衬底 抛光 研磨 | ||
本实用新型公开了一种碳化硅衬底片用抛光研磨垫,属于衬底片用抛光研磨垫技术领域。其技术方案为:包括第一抛光层和第二抛光层,第一抛光层粘在第二抛光层上;所述第一抛光层的研磨面上均布有凸起单元,凸起单元包括若干个呈圆周间隔设置的第一凸起,且第一凸起形成的圆内设置有若干个呈圆周间隔设置的第二凸起;第一凸起与第二凸起高度相同。本实用新型的抛光研磨垫一方面能够有效地将抛光研磨浆料的停留时间拉长,提高了抛光或研磨的效率;另一方面还能使浆料、加工碎屑顺利地排出加工区域,避免其沉积团聚对衬底片造成划痕。
技术领域
本实用新型涉及衬底片用抛光研磨垫技术领域,具体涉及一种碳化硅衬底片用抛光研磨垫。
背景技术
现有技术中,碳化硅衬底片主要使用研磨或抛光方式进行表面或亚损伤层的移除,以降低粗糙度及衬底片平坦化或是达到其他目的。
对衬底片进行研磨或抛光加工时,会将浆料(slurry)导入衬底片与抛光研磨垫(Pad)之间,接着抛光机盘面及抛光研磨头进行旋转,使衬底片与浆料产生化学作用,或是与浆料中的磨料发生机械作用,以达到衬底片表面或亚表面损伤层的移除。研磨或抛光过程中浆料停留在抛光研磨垫上的量及加工碎屑是否顺利排出等因素皆会影响抛光研磨出来的衬底片质量。
因此本领域技术人员需要一种可以在抛光研磨过程中,可延长浆料留置于盘面上的时间,避免抛光研磨盘面在旋转过程中将浆料甩出加工区域,并有效地将加工碎屑移除掉的抛光研磨垫。
此外,现有的抛光研磨垫还存在加工过程中对衬底片产生真空吸力,使得上盘面将衬底片吸附上去而导致衬底片掉落破裂的问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种碳化硅衬底片用抛光研磨垫,一方面能够有效地将抛光研磨浆料的停留时间拉长,提高了抛光或研磨的效率;另一方面还能使浆料、加工碎屑顺利地排出加工区域,避免其沉积团聚对衬底片造成划痕。
本实用新型的技术方案为:
碳化硅衬底片用抛光研磨垫,包括第一抛光层和第二抛光层,第一抛光层粘在第二抛光层上;所述第一抛光层的研磨面上均布有凸起单元,凸起单元包括若干个呈圆周间隔设置的第一凸起,且第一凸起形成的圆内设置有若干个呈圆周间隔设置的第二凸起;第一凸起与第二凸起高度相同。
优选地,所述第一凸起呈多边形结构,第二凸起呈弧形。
优选地,所述第二抛光层粘在第一抛光层上的一面设置有横竖交叉的沟槽,沟槽之间由若干个区域隔开。
优选地,所述区域呈圆形,且其中一个区域设置在第二抛光层的中心处,其余区域绕中心处的区域均匀地间隔一圈。
优选地,所述第一凸起和第二凸起的高度为0.1-5mm。
优选地,所述第一抛光层的硬度 P1为42D≤P1≤60D;
优选地,所述第二抛光层的硬度P2为43C≤P1≤65C,且P2≤P1≤60D。
优选地,所述第一抛光层采用聚氨酯制成。
优选地,所述第二抛光层采用无纺布纤维制成。
本实用新型与现有技术相比,具有以下有益效果:
1. 本实用新型的抛光研磨垫通过第一抛光层上的第一凸起和第二凸起,一方面可减少抛光机盘面旋转时被甩掉的抛光研磨浆料量,从而有效地将抛光研磨浆料的停留时间拉长,提高了抛光或研磨的效率;另一方面不连续的第一凸起和第二凸起使得浆料、加工碎屑能够缓慢地经由空隙排出加工区域,避免因浆料、加工碎屑沉积团聚而造成衬底片上产生划痕。
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