[实用新型]碳化硅衬底片用抛光研磨垫有效
| 申请号: | 202223168624.3 | 申请日: | 2022-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN219027131U | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 许仙薇;林育圣;庄裕峯;郭正富;蔡国基 | 申请(专利权)人: | 青岛嘉展力拓半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | B24B37/26 | 分类号: | B24B37/26;H01L21/67 |
| 代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 王晶莹 |
| 地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碳化硅 衬底 抛光 研磨 | ||
1.碳化硅衬底片用抛光研磨垫,包括第一抛光层(1)和第二抛光层(2),第一抛光层(1)粘在第二抛光层(2)上;其特征在于,所述第一抛光层(1)的研磨面上均布有凸起单元,凸起单元包括若干个呈圆周间隔设置的第一凸起(101),且第一凸起(101)形成的圆内设置有若干个呈圆周间隔设置的第二凸起(102);第一凸起(101)与第二凸起(102)高度相同。
2.如权利要求1所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第一凸起(101)呈多边形结构,第二凸起(102)呈弧形。
3.如权利要求1所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第二抛光层(2)粘在第一抛光层(1)上的一面设置有横竖交叉的沟槽(201),沟槽(201)之间由若干个区域(202)隔开。
4.如权利要求3所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述区域(202)呈圆形,且其中一个区域(202)设置在第二抛光层(2)的中心处,其余区域(202)绕中心处的区域(202)均匀地间隔一圈。
5.如权利要求1所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第一凸起(101)和第二凸起(102)的高度为0.1-5mm。
6.如权利要求1所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第一抛光层(1)的硬度 P1为42D≤P1≤60D。
7.如权利要求6所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第二抛光层(2)的硬度P2为43C≤P1≤65C,且P2≤P1≤60D。
8.如权利要求1所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第一抛光层(1)采用聚氨酯制成。
9.如权利要求1所述的碳化硅衬底片用抛光研磨垫,其特征在于,所述第二抛光层(2)采用无纺布纤维制成。
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