[实用新型]集成电路制造设备及其真空管道组件有效
申请号: | 202223133959.1 | 申请日: | 2022-11-24 |
公开(公告)号: | CN218548385U | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 王磊;李文深;江为团;范大祥;王凯捷 | 申请(专利权)人: | 厦门士兰集科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王晓芬 |
地址: | 361026 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 制造 设备 及其 真空 管道 组件 | ||
本实用新型公开了一种集成电路制造设备及其真空管道组件,真空管道组件包括第一管路、第二管路及中间连接管,第一管路及第二管路均竖直设置,第一管路的底端为封堵结构,中间连接管的进气口与第一管路的侧壁连接,中间连接管的出气口与第二管路连接,中间连接管的进气口与第一管路的底端隔离设置,中间连接管由进气口至出气口方向倾斜向上设置。在本申请提供的真空管道组件通过将第一管路的底端封堵,且气体由第一管路的中间位置进入中间连接管,再进入第二管路,更好的保证上端集成电路制造设备中人为操作掉落的异物、反应腔的生成物、管路内壁的二次副产物等固体不能直接进入干泵,降低了集成电路制造设备的维修成本,延长了干泵的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,特别涉及一种集成电路制造设备及其真空管道组件。
背景技术
在集成电路加工过程中,例如在晶圆制造过程中很多工艺步骤需要真空环境,如化学气相沉积、物理气相沉积、刻蚀、扩散、离子注入、外延等。因此,在上述工艺步骤涉及的集成电路制造设备中,提供真空环境的干泵就形成了设备的真空系统的重要基础。在晶圆加工时,通常将干泵垂直放置于设备的反应腔的正下方,干泵与反应腔之间通过真空管道组件进行连接。传统的真空管道组件为竖直布置的管路,通过管路将设备的反应腔与干泵垂直连接,气体在反应腔内反应后直接进入干泵。
然而,在集成电路制造过程中,在各设备的周期性保养(PM,Period Maintenance)过程中的零配件、反应腔内的副产物、管路内壁的二次生成物会有直接掉落进入干泵的风险,导致干泵的使用寿命缩短。
因此,如何延长干泵的使用寿命,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种集成电路制造设备的真空管道组件,以延长干泵的使用寿命。本实用新型的另一目的是提供一种包括上述真空管道组件的集成电路制造设备。
为实现上述目的,本实用新型提供一种集成电路制造设备的真空管道组件,包括:
第一管路,所述第一管路的底端为封堵结构;
第二管路;以及
中间连接管,所述第一管路及所述第二管路均竖直设置,所述中间连接管的进气口与所述第一管路的侧壁连接,所述中间连接管的出气口与所述第二管路连接,所述中间连接管的进气口与所述第一管路的底端隔离设置,所述中间连接管由进气口至出气口方向倾斜向上设置。
可选地,在上述集成电路制造设备的真空管道组件中,所述第一管路与所述中间连接管之间的夹角为40°-50°,所述中间连接管与所述第二管路之间的夹角为130°-140°。
可选地,在上述集成电路制造设备的真空管道组件中,所述第一管路与所述中间连接管之间的夹角为45°,所述中间连接管与所述第二管路之间的夹角为135°。
可选地,在上述集成电路制造设备的真空管道组件中,所述中间连接管与所述第二管路连接位置的顶端光滑过渡。
可选地,在上述集成电路制造设备的真空管道组件中,所述第一管路包括由上至下联通设置的第一管段和第二管段,所述第二管段的底端为所述封堵结构,所述中间连接管与所述第一管段连接,所述第一管段和所述第二管段可拆卸连接。
可选地,在上述集成电路制造设备的真空管道组件中,所述第一管路的侧壁设有底压测试接口。
可选地,在上述集成电路制造设备的真空管道组件中,所述第一管路、所述第二管路和所述中间连接管焊接连接或为一体成型结构。
一种集成电路制造设备,包括上述任一项所述的真空管道组件。
可选地,在上述集成电路制造设备中,还包括干泵,所述干泵通过柔性管与所述第二管路的出气口连接,所述第一管路的底端高于所述干泵设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造