[实用新型]集成电路制造设备及其真空管道组件有效
申请号: | 202223133959.1 | 申请日: | 2022-11-24 |
公开(公告)号: | CN218548385U | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 王磊;李文深;江为团;范大祥;王凯捷 | 申请(专利权)人: | 厦门士兰集科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王晓芬 |
地址: | 361026 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 制造 设备 及其 真空 管道 组件 | ||
1.一种集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,包括:
第一管路,所述第一管路的底端为封堵结构;
第二管路;以及
中间连接管,所述第一管路及所述第二管路均竖直设置,所述中间连接管的进气口与所述第一管路的侧壁连接,所述中间连接管的出气口与所述第二管路连接,所述中间连接管的进气口与所述第一管路的底端隔离设置,所述中间连接管由进气口至出气口方向倾斜向上设置。
2.根据权利要求1所述的集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,所述第一管路与所述中间连接管之间的夹角为40°-50°,所述中间连接管与所述第二管路之间的夹角为130°-140°。
3.根据权利要求2所述的集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,所述第一管路与所述中间连接管之间的夹角为45°,所述中间连接管与所述第二管路之间的夹角为135°。
4.根据权利要求1所述的集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,所述中间连接管与所述第二管路连接位置的顶端光滑过渡。
5.根据权利要求1所述的集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,所述第一管路包括由上至下联通设置的第一管段和第二管段,所述第二管段的底端为所述封堵结构,所述中间连接管与所述第一管段连接,所述第一管段和所述第二管段可拆卸连接。
6.根据权利要求1所述的集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,所述第一管路的侧壁设有底压测试接口。
7.根据权利要求1所述的集成电路制造设备的真空管道组件,其特征在于,所述第一管路、所述第二管路和所述中间连接管焊接连接或为一体成型结构。
8.一种集成电路制造设备,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的真空管道组件。
9.根据权利要求8所述的集成电路制造设备,其特征在于,还包括干泵,所述干泵通过柔性管与所述第二管路的出气口连接,所述第一管路的底端高于所述干泵设置。
10.根据权利要求8所述的集成电路制造设备,其特征在于,所述真空管道组件为至少一个,一个反应腔连接一个或多个所述真空管道组件,当一个所述反应腔连接多个所述真空管道组件时,多个所述真空管道组件并联设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造