[实用新型]二极管器件

说明书

本申请提供了一种二极管器件。二极管器件包括底板、引线框架和芯片组件，底板具有第一表面，底板上设置有凸台，凸台沿背离第一表面的方向延伸设置。引线框架连接于底板的一端。芯片组件包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的阴极端面与第一表面连接，第一芯片的阳极端面与引线框架连接，第二芯片的阳极端面与凸台连接，第二芯片的阴极端面与引线框架连接，其中，凸台靠近第二芯片的一侧表面的面积与第二芯片的阳极端面的面积相匹配。根据本申请实施例能够有效提高二极管器件中的串联芯片的稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种二极管器件。

背景技术

二极管器件是利用半导体材料制成的一种电子器件，随着科技的进步和信息学的发展，市场对二极管器件的要求越来越高，往往需要在高电压电路中使用，而目前的二极管器件内部的芯片一般为并联连接，耐压性能不足，应用于大电压的电路结构时，二极管器件容易被击穿。因此，需要通过将二极管器件内部的芯片进行串联来解决上述问题。

目前常规的解决方法是将二极管器件内部的芯片层叠设置，并通过导电金属进行简单的串联连接。但是，芯片的阳极端面与阴极端面的面积大小不同，使得芯片之间连接不牢固，连接处容易产生断裂的风险，导致串联芯片的稳定性较差，同时，芯片层叠设置会增加二极管器件的整体体积。有鉴于此，亟需对二极管器件进行改进。

实用新型内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种二极管器件，能够有效提高二极管器件中的串联芯片的稳定性。

本申请实施例提供一种二极管器件，二极管器件包括底板、引线框架和芯片组件，底板具有第一表面，底板上设置有凸台，凸台沿背离第一表面的方向延伸设置。引线框架连接于底板的一端。芯片组件包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的阴极端面与第一表面连接，第一芯片的阳极端面与引线框架连接，第二芯片的阳极端面与凸台连接，第二芯片的阴极端面与引线框架连接，其中，凸台靠近第二芯片的一侧表面的面积与第二芯片的阳极端面的面积相匹配。

在一些实施例中，沿底板的厚度方向上，第二芯片的阳极端面在第一表面上的正投影覆盖凸台在第一表面上的正投影。

在一些实施例中，底板上设置有凹槽结构，凹槽结构由第一表面沿底板厚度方向凹陷形成，凸台位于凹槽结构内。

在一些实施例中，沿底板的厚度方向上，凹槽结构在第一表面上的正投影覆盖第二芯片在第一表面上的正投影。

在一些实施例中，沿底板的厚度方向上，凸台的第一尺寸h1与凹槽结构的第二尺寸h2满足：h1≤h2。

在一些实施例中，凸台与底板为一体成型结构。

在一些实施例中，引线框架包括沿第一方向依次设置的第一引脚、第二引脚以及第三引脚，第一引脚的输入端与第一芯片的阳极端面通过导电件连接，第三引脚的输入端与第二芯片的阴极端面通过导电件连接，第二引脚的输入端与底板连接。

在一些实施例中，凸台沿第一方向上靠近第三引脚设置。

在一些实施例中，导电件为片状结构体。

在一些实施例中，第一芯片的阴极端面涂覆有金属粘接层，第二芯片的阳极端面涂覆有金属粘接层，金属粘接层具有焊接亲和性。

本申请提供的二极管器件，通过在底板上设置凸台，并将第一芯片的阴极端面与第一表面连接，第一芯片的阳极端面与引线框架连接，第二芯片的阳极端面与凸台连接，第二芯片的阴极端面与引线框架连接。第一芯片与第二芯片均连接于底板上，并通过倒装的方式进行串联，避免了芯片因层叠设置而导致的连接不牢固的现象发生，能够有效提高二极管器件中的串联芯片的稳定性。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。