[实用新型]二极管器件有效
| 申请号： | 202223016448.1 | 申请日： | 2022-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN219144175U | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 赵良;陈松 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/13;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市南昌县*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 器件 | ||
1.一种二极管器件，其特征在于，包括：
底板，具有第一表面，所述底板上设置有凸台，所述凸台沿背离所述第一表面的方向延伸设置；
引线框架，连接于所述底板的一端；
芯片组件，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的阴极端面与所述第一表面连接，所述第一芯片的阳极端面与所述引线框架连接，所述第二芯片的阳极端面与所述凸台连接，所述第二芯片的阴极端面与所述引线框架连接，其中，所述凸台靠近所述第二芯片的一侧表面的面积与所述第二芯片的阳极端面的面积相匹配。
2.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，沿所述底板的厚度方向上，所述第二芯片的阳极端面在所述第一表面上的正投影覆盖所述凸台在所述第一表面上的正投影。
3.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述底板上设置有凹槽结构，所述凹槽结构由所述第一表面沿所述底板厚度方向凹陷形成，所述凸台位于所述凹槽结构内。
4.根据权利要求3所述的二极管器件，其特征在于，沿所述底板的厚度方向上，所述凹槽结构在所述第一表面上的正投影覆盖所述第二芯片在所述第一表面上的正投影。
5.根据权利要求4所述的二极管器件，其特征在于，沿所述底板的厚度方向上，所述凸台的第一尺寸h1与所述凹槽结构的第二尺寸h2满足：h1≤h2。
6.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述凸台与所述底板为一体成型结构。
7.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述引线框架包括沿第一方向依次设置的第一引脚、第二引脚以及第三引脚，所述第一引脚的输入端与所述第一芯片的阳极端面通过导电件连接，所述第三引脚的输入端与所述第二芯片的阴极端面通过导电件连接，所述第二引脚的输入端与所述底板连接。
8.根据权利要求7所述的二极管器件，其特征在于，所述凸台沿所述第一方向上靠近所述第三引脚设置。
9.根据权利要求7所述的二极管器件，其特征在于，所述导电件为片状结构体。
10.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述第一芯片的阴极端面涂覆有金属粘接层，所述第二芯片的阳极端面涂覆有金属粘接层，所述金属粘接层具有焊接亲和性。
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