[实用新型]一种沉积设备

说明书

本实用新型涉及半导体加工设备领域，公开了一种沉积设备，包括反应腔室、安装在反应腔室内的加热机构和升降台，反应腔室内还安装有用于翻转晶圆的翻转机构，翻转机构包括翻转框、驱动件和夹持件，翻转框转动安装在反应腔室内，驱动件固定在反应腔室外并用于驱动翻转框转动，夹持件固定在翻转框上并用于夹持放置在升降台上的晶圆。本实用新型使得同一个机台能够连续沉积晶圆的正反两面，减少了反复传送晶圆而给晶圆带来的损坏风险，同时也能够提高晶圆表面薄膜的沉积质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种沉积设备。

背景技术

气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层的技术。气相沉积技术按照成膜机理，可分为物理气相沉积、化学气相沉积和等离子体气相沉积这几种。而在晶圆的加工过程中，为了确保晶圆的质量，通常会使用气相沉积技术，在晶圆的表面沉积介质薄膜，形成保护层。

在现有的气相沉积设备中，通常具有一个可以抽真空的反应腔室，反应腔室内设置有用于放置晶圆的升降台以及用于加热气体的加热机构。当需要在晶圆表面沉积介质薄膜时，首先通过机械手臂将晶圆放置到反应腔室内的载台上，然后密闭反应腔室并对反应腔室抽真空处理，再打开加热机构并通入反应气体，使各种反应气体发生反应，最终沉积到晶圆表面。

在实际加工过程中，晶圆的正反两面均需要沉积。但是由于气相沉积设备的局限性，大多数晶圆的正面沉积和反面沉积需要到不同的机台运行工艺。不仅操作比较麻烦，降低工作效率；而且这样反复传送晶圆，容易降低晶圆表面薄膜的沉积质量，甚至会损坏晶圆或者导致薄膜脱落，严重影响集成器件的性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种沉积设备，解决了背景技术中指出的现有的气相沉积设备不能连续加工晶圆的正反两面的问题。

本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题：

一种沉积设备，包括反应腔室、安装在反应腔室内的加热机构和升降台，所述反应腔室内还安装有用于翻转晶圆的翻转机构，所述翻转机构包括翻转框、驱动件和夹持件，所述翻转框转动安装在反应腔室内，所述驱动件固定在反应腔室外并用于驱动翻转框转动，所述夹持件固定在翻转框上并用于夹持放置在升降台上的晶圆。

进一步，所述升降台包括升降气缸、安装板和多根支撑柱，所述升降气缸固定在反应腔室内的底侧，所述安装板固定在升降气缸的输出轴一端，多根所述支撑柱呈环形阵列结构固定在安装板上，所述支撑柱的上端均用于支撑晶圆的边缘部位。

进一步，所述翻转框的两侧均固定有转轴，所述转轴转动安装在反应腔室内；所述驱动件为电机，所述电机的输出轴穿至反应腔室内与其中一根转轴固定。

进一步，所述夹持件的数量为两组，两组所述夹持件对称设置在升降台两侧，所述夹持件包括驱动气缸和夹具头，所述驱动气缸固定在翻转框上，所述夹具头固定在气缸的输出轴一端。

进一步，所述夹具头与晶圆接触的一侧设有适配晶圆边缘的弧形槽。

进一步，所述加热机构包括安装盘和电阻丝，所述安装盘可拆卸安装在反应腔室内的顶侧，所述电阻丝固定在安装盘的底侧。

进一步，所述电阻丝呈涡旋状结构。

进一步，所述加热机构还包括多个加热灯，多个所述加热灯均匀设置在反应腔室内的底侧。

进一步，所述反应腔室内还安装有环形气管，所述环形气管位于电阻丝和支撑杆之间，所述环形气管与反应腔室内的进气口连通，所述环形气管朝向反应腔室中心的一侧开设有多个均匀分布的出气孔。

本实用新型的有益效果：