[实用新型]一种金属剥离工艺装置有效
申请号: | 202222780324.4 | 申请日: | 2022-10-21 |
公开(公告)号: | CN218548374U | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 李燚雷;白伟伟;傅建良;汝雪亮;魏义志 | 申请(专利权)人: | 绍兴君万微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/687;H01L21/67;B08B3/02;B08B3/12 |
代理公司: | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人: | 陈彩霞 |
地址: | 312030 浙江省绍兴市柯桥*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 剥离 工艺 装置 | ||
本实用新型提供一种金属剥离工艺装置,包括:高压喷头、电机、摆臂、可转角度晶圆夹具、超声波振子、电源、不锈钢槽体、循环泵、药液管路;不锈钢槽体分隔成剥离药剂浸泡槽和剥离药剂循环槽;所述剥离药剂浸泡槽侧壁开孔;所述剥离药剂循环槽下部开孔并延伸出药液管路与循环泵连接,循环泵的输出端连接的药液管路伸入剥离药剂浸泡槽,将剥离药剂通过高压喷头喷出,超声波振子贴紧安装在剥离药剂浸泡槽底部,电机的输出轴与摆臂连接,摆臂伸入剥离药剂浸泡槽中摆臂的终端连接高压喷头,通过摆臂转动带动高压喷头上下移动;所述可转角度晶圆夹具卡接半导体晶圆,夹具安装在所述剥离药剂浸泡槽中;所述高压喷头喷淋剥离药剂冲击半导体晶圆的表面。
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片制造技术领域,具体为一种金属剥离工艺装置。
背景技术
金属剥离工艺(metal lift-off technology)是指基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后,以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模,带胶蒸发所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂的同时,把胶膜上的金属一起剥离干净,在基片上只剩下原刻出图形的金属。
现有的产品金属剥离工艺是将样品置于剥离液溶剂中,进行超声波处理,光刻胶层在药剂溶解以及超声的作用下被去除,最终得到只保留镀膜金属层的结构,使用超声剥离,工艺时间较长,需处理2小时以上,并且由于超声时间较长,对于最终保留的目标金属层还有一定的损伤,损害产品良率。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种金属剥离工艺装置,解决了上述背景技术中提出的目前的采用超声波处理的金属剥离装置超声处理耗时长,损害产品良率的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:
本实用新型提供一种金属剥离工艺装置,包括:高压喷头、电机、摆臂、可转角度晶圆夹具、超声波振子、电源、不锈钢槽体、循环泵、药液管路;
所述不锈钢槽体设置有带孔隔板,将不锈钢槽体分隔成剥离药剂浸泡槽和剥离药剂循环槽;
所述剥离药剂浸泡槽侧壁开孔;
所述剥离药剂循环槽下部开孔并延伸出药液管路与循环泵连接,循环泵的输出端与药液管路连接,药液管路通过剥离药剂浸泡槽侧壁开孔伸入剥离药剂浸泡槽,将剥离药剂通过高压喷头循环泵入剥离药剂浸泡槽;
所述超声波振子贴紧安装在所述剥离药剂浸泡槽底部,所述电源与超声波振子电连接;
所述电机的输出轴与摆臂连接,所述摆臂伸入剥离药剂浸泡槽中,摆臂的终端连接高压喷头,通过摆臂转动带动高压喷头上下移动;
所述可转角度晶圆夹具卡接半导体晶圆,将半导体晶圆整体浸没在剥离药剂中,所述可转角度晶圆夹具安装在所述剥离药剂浸泡槽中;
所述高压喷头喷淋剥离药剂冲击半导体晶圆的表面。
优选地,所述可转角度晶圆夹具可调角度为0°-90°;
所述可转角度晶圆夹具包括:承载盘和支架;
所述承载盘设置有角度调节部,角度调节部通过旋转轴实现承载盘与支架连接。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种金属剥离工艺装置。具备以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造