[实用新型]一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉

说明书

本实用新型提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，包括炉管主体、旋转组件以及驱动件，炉管主体内部设置有反应腔，炉管主体的底部设有进气口，炉管主体的顶部设有出气口；旋转组件包括转轴和底托，转轴与炉管主体转动连接，转轴沿竖直方向贯穿炉管主体的底部并延伸至反应腔内部，底托固定安装在转轴的顶部，底托用于支撑固定载片舟；驱动件用于驱动转轴转动。本实用新型提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，可用于硼扩散或ALD工序，载片舟设置在底托上，转轴转动，利用离心力将硅片紧贴在载片舟的舟壁上，避免绕扩或绕镀的发生，提升了生产效率。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉。

背景技术

单晶硅太阳能电池是一种常见的半导体器件，因单晶硅太阳能电池转化效率高，发电量稳定等优势，已经逐渐成为当前光伏行业的主流产品。N型太阳能电池的制备过程大致包括：制绒-硼扩散-刻蚀-LPCVD/PVD-ALD-PECVD-印刷烧结等工艺。太阳能电池在生产过程中，需要对硅片进行扩散掺杂以形成PN结，同时正表面还要制作一层氧化铝钝化层以加强钝化效果，提升电池效率。在进行硼扩散、ALD工序中，一般使用载片舟装载硅片，载片舟上设置有定位槽，用于将载片舟进行安装固定在其他组件上。

硼扩散是制备PN结的关键步骤。在硼扩散制备PN结过程中，对于P型硅片，需要在扩散炉中通入三氯氧磷，在硅片表面发生置换反应，形成磷掺杂层，即N型结；对于N型硅片，需要在扩散炉中通入三氯化硼，在硅片表面发生置换反应，形成硼掺杂层，即P型结。在制作P型结或N型结时，均只需要在硅片的正面发生置换反应，完成扩散，硅片的背面不需要发生置换反应，因此需要采用一定的遮挡方式对无需发生置换反应的背面进行掩盖，保护背面不被扩散。常用的保护方式主要采用将两张硅片背靠背贴合放置的方式，插入载片舟的槽里，即以一张硅片作为相抵靠在一起的另一张硅片的保护层，进而对两张硅片的相贴合的背面进行保护。然而该保护方式并不牢固，硅片之间的贴合属于自然贴合，未施加外力进行紧压，其贴合的力度并不紧密，但是扩散过程需要在负压条件下进行，当气流通入时，在气体的带动以及负压环境的影响下，两张硅片之间会分开一定的缝隙，导致气流进入缝隙，在硅片背面产生沉积和扩散，形成掺杂层，发生绕扩现象。

ALD工序是制备氧化铝钝化层的主要工序，通入炉管的气体为三甲基铝，三甲基铝在硅片表面发生反应，形成氧化铝沉积。ALD工序需要在一个负压条件下的炉管中进行，只需要在硅片正面进行制备，不需要在硅片背面进行制备。因此一般采用与硼扩散相同的遮挡方式，即两张硅片背靠背放置，靠自然贴合，未施加外力进行紧压，其贴合的力度并不紧密，将两张硅片插入载片舟的槽里进行反应。同理，两张硅片在气流和负压环境的影响下，会分开一定的缝隙，导致气流进入缝隙，在硅片背面形成沉积层，发生绕镀现象。

绕扩和绕镀现象产生后，均需要在后续增加一道清洗工序，使用氢氟酸、硝酸将绕扩、绕镀去除，增加了生产的成本，提升了工艺过程的复杂性，制约了产品技术的发展。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，旨在解决刻蚀工序氢氟酸与硼硅玻璃反应的速率较低的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种消除太阳能电池绕扩、绕度的沉积炉，包括：

炉管主体，所述炉管主体内部设置有反应腔，所述炉管主体的底部设有进气口，所述炉管主体的顶部设有出气口；

旋转组件，所述旋转组件包括转轴和底托，所述转轴与所述炉管主体转动连接，所述转轴沿竖直方向贯穿所述炉管主体的底部并延伸至所述反应腔内部，所述底托固定安装在所述转轴的顶部，所述底托用于支撑固定载片舟；以及

驱动件，用于驱动所述转轴转动。

在一种可能的实现方式中，所述底托上设置有导气部，所述导气部用于传导气体至载片舟。