[实用新型]碳化硅衬底片剥离装置

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅衬底片剥离装置，属于碳化硅衬底片加工技术领域。其技术方案为：包括固定机构，固定机构包括上真空吸附台和下真空吸附台，碳化硅衬底片置于上真空吸附台和下真空吸附台之间；上真空吸附台连接有第一升降机构和第一转动机构，下真空吸附台连接有第二转动机构；固定机构侧边设置有剥离机构，剥离机构包括刮刀，刮刀安装在第二升降机构上，第二升降机构安装在水平移动机构上，通过水平移动机构调节刮刀与碳化硅衬底片之间的距离；第二升降机构上位于刮刀一侧还安装有水刀喷嘴。本实用新型提高了碳化硅衬底片剥离的效率，降低了剥离产生的应力。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅衬底片加工技术领域，具体涉及一种碳化硅衬底片剥离装置。

背景技术

现有技术中，碳化硅衬底片的切割方式，主要分为线切割以及激光切割，在同样厚度的晶碇切出相同厚度的碳化硅衬底片的情况下，由于激光切割在切割过程中损失的晶碇材料较少，所以可产出较多的碳化硅衬底片，因此激光切割的成本相对具有优势。激光切割完还需要进行晶碇与衬底片的剥离，如公开编号为TW201926452A的中国台湾专利公开了一种从形成剥离层的晶棒剥离圆晶的剥离装置，其主要利用超声波振荡的方式达到分离的目的，这种剥离方式所需时间较长，且剥离衬底片时产生的应力会造成衬底片的翘曲较大。因此，本领域技术人员亟需一种在碳化硅衬底片剥离过程中，能够缩短加工时间以及减少剥离产生应力的剥离装置。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种碳化硅衬底片剥离装置，提高了碳化硅衬底片剥离的效率，降低了剥离产生的应力。

本实用新型的技术方案为：

碳化硅衬底片剥离装置，包括固定机构，固定机构包括上真空吸附台和下真空吸附台，碳化硅衬底片置于上真空吸附台和下真空吸附台之间；上真空吸附台连接有第一升降机构和第一转动机构，下真空吸附台连接有第二转动机构；固定机构侧边设置有剥离机构，剥离机构包括刮刀，刮刀安装在第二升降机构上，第二升降机构安装在水平移动机构上，通过水平移动机构调节刮刀与碳化硅衬底片之间的距离；第二升降机构上位于刮刀一侧还安装有水刀喷嘴。

优选地，所述上真空吸附台和下真空吸附台均为中空结构，上真空吸附台的下表面以及下真空吸附台的上表面分别设有若干个真空吸附孔，上真空吸附台和下真空吸附台分别连接有抽真空装置。

优选地，所述第一升降机构采用直线模组，直线模组的滑块上连接有升降板；第一转动机构采用第一电机，第一电机安装在升降板上且输出轴向下穿过升降板后连接在上真空吸附台的中心处。

优选地，所述第二转动机构采用第二电机，第二电机的输出轴向上连接在下真空吸附台的中心处。

优选地，所述剥离机构设置有两个，分别设置在固定机构的相对两侧。

本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：

本实用新型利用下真空吸附台和上真空吸附台固定住碳化硅衬底片，实现衬底片的全部面积固定，使得在剥离时衬底片的每一处受力都相同，藉此降低剥离产生的应力。同时，本实用新型利用水刀喷嘴将碳化硅衬底片侧面喷出缝隙，接着将刮刀伸入到缝隙中，上真空吸附台和下真空吸附台同时进行缓慢地同向旋转，使刮刀沿着衬底片边缘进行剥离，提高了碳化硅衬底片剥离的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的结构示意图。

图中，1、上真空吸附台；2、下真空吸附台；3、碳化硅衬底片；4、第一升降机构；5、刮刀；6、第二升降机构；7、水平移动机构；8、喷嘴；9、升降板。

具体实施方式