[实用新型]一种固体源内置的反应腔体装置有效
| 申请号: | 202222333747.1 | 申请日: | 2022-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN218666280U | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
| 发明(设计)人: | 吕俊彦;黄亚洲;周雨轲;张云飞;訾豪;杨东方 | 申请(专利权)人: | 南京工程学院 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 苏一帜 |
| 地址: | 211167 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 固体 内置 反应 装置 | ||
本实用新型实施例公开了一种固体源内置的反应腔体装置,涉及原子层沉积技术领域,能够降低设备成本的同时,还避免反应物外泄。本实用新型包括:进气端密封法兰(1),固体源加热装置(2),反应腔体(3),反应腔加热装置(4),出气端密封法兰(5),单向阀(8),固体源瓶(9),气动阀(10)。进气端密封法兰(1)和出气端密封法兰(5),用来对反应腔体(3)进行密封,保证必要的真空度和避免反应物外泄;固体源加热装置(2),用来对固体源瓶(9)进行加热,使其达到反应所需的饱和蒸汽压;反应腔加热装置(4),用来对待沉积样品(7)进行加热,使其达到原子层沉积反应所需的温度;单向阀(8)、固体源瓶(9)、气动阀(10),组成反应腔体内置式固体源装置结构。
技术领域
本实用新型涉及基于原子层沉积技术领域,尤其涉及一种固体源内置的反应腔体装置。
背景技术
近年来,随着集成电路、半导体装备制造的快速发展,原子层沉积装备(ALD)引起了广泛的关注。在原子层沉积过程中,一个完整的反应被打断成两个半反应,只有当表面的活性位点被消耗殆尽后,第一个半反应才会停止,然后进行另一个半反应,由于这样的自限制化学反应,不仅所制造薄膜的厚度能被精确控制,在复杂形貌基底上的薄膜的均匀性也能很好地被保持,同时由于对过量的前驱体不敏感,所以具有很高的可重复性。因此,原子层沉积在集成电路、半导体和传感器等领域,具有重要的应用价值。气体、液体、固体均可作为原子层沉积的前驱体源,但是必须保证它们有足够的饱和蒸汽压,一般要求其在工作温度下的饱和蒸气压不小于0.1hPa,因此,对于固体源来说,必须对其加热,以达到工作需要的压强。传统的固体源,位于反应腔体的外部,在对固体源加热过程中,为避免其在管路和阀体中冷凝、堵塞,通常采用对源路整体加热的方案,这大大增加了设备成本,同时由于长时间的加热,源瓶、管路、阀体的接口处容易出现泄露,出现危险和污染环境。
因此,如何在能够保证甚至是降低设备成本的同时,还避免反应物外泄,成为了需要研究的问题。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种固体源内置的反应腔体装置,能够降低设备成本的同时,还避免反应物外泄。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
进气端密封法兰(1),固体源加热装置(2),反应腔体(3),反应腔加热装置(4),出气端密封法兰(5),单向阀(8),固体源瓶(9),气动阀(10)。的进气端密封法兰(1)和出气端密封法兰(5),用来对反应腔体(3)进行密封,保证必要的真空度和避免反应物外泄;的固体源加热装置(2),用来对固体源瓶(9)进行加热,使其达到反应所需的饱和蒸汽压;反应腔加热装置(4),用来对待沉积样品(7)进行加热,使其达到原子层沉积反应所需的温度;单向阀(8)、固体源瓶(9)、气动阀(10),组成反应腔体内置式固体源装置结构。
在实际使用中,气动阀(10)用来控制固体源路Ⅰ的开启时长,单向阀(8)用来控制固体源瓶(9)的开启大小,通过调节氮气N2的压强大小,可以调节单向阀(8)的开启大小。
本实用新型实施例提供的固体源内置的反应腔体装置,可以将原子层沉积所需的固体源,内置于反应腔体内,大大缩短了固体源的输送管路,可以有效避免固体源输送过程中容易堵塞管路和阀体的缺陷;同时,固体源内置于反应腔体内,节省了固体源瓶、输送管路和阀的加热、保温装置,也降低了对管路和阀的耐高温要求,大大降低了设备成本;另外,由于固体源瓶在反应腔体内,可以有效避免固体源泄露到外部环境中,污染环境。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





