[实用新型]一种晶圆清洗装置有效
申请号: | 202222209542.2 | 申请日: | 2022-08-22 |
公开(公告)号: | CN218101191U | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 黄宗友 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 双瑞晨;杨宏 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 | ||
1.一种晶圆清洗装置,用于清洗晶圆,其特征在于,所述晶圆清洗装置包括:
底座,所述底座上设置有清洗腔,所述底座的底部设置有与所述清洗腔连通的排液孔;
承载台,其顶面用于放置所述晶圆;
驱动机构,用于驱动所述承载台升降和旋转,所述驱动机构设置在所述清洗腔内,所述承载台的下端装配在驱动机构中;
第一喷射组件,用于向晶圆的背面喷射清洗液,所述第一喷射组件设置在所述清洗腔内且设置在承载台周围;
第二喷射组件,用于向清洗腔的内壁喷射清洗液,所述第二喷射组件设置在所述清洗腔内。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二喷射组件上设置有注入孔和与所述注入孔连通的多个第一喷射孔,多个所述第一喷射孔环绕所述承载台分布。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二喷射组件为环形,所述承载台和第一喷射组件位于所述第二喷射组件的环内,多个第一喷射孔分别沿着所述第二喷射组件的环形方向布置。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷射孔的轴线沿从下到上且远离所述承载台的方向倾斜。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二喷射组件的表面的外边缘处开设有倾斜面,所述第一喷射孔开设在所述倾斜面上。
6.根据权利要求1或2或3或5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆清洗装置还包括用于将清洗液导流到清洗腔底部的中层盖,所述驱动机构位于所述中层盖的下方,所述中层盖的上表面为导流面且向清洗腔底部延伸,所述中层盖上设置有通孔和设置在通孔周围的安装孔,所述承载台穿过通孔,所述第一喷射组件包括背洗喷嘴,所述背洗喷嘴穿过安装孔并固定在中层盖上,所述第二喷射组件固定在中层盖的上表面。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述导流面为弧形面。
8.根据权利要求1或2或3或5或7所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述底座的底部还设置有防水安装台,所述驱动机构位于所述防水安装台内,所述承载台穿过所述防水安装台装配在所述驱动机构上。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述底座的底部还设置有与所述清洗腔连通的排气孔。
10.根据权利要求1或2或3或5或7或9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆清洗装置还包括用于放置清洗液外洒的上盖,所述上盖安装在底座上,所述上盖开设有开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造