[实用新型]用于外延预清洗设备的热氮吹干槽有效
申请号: | 202222083854.3 | 申请日: | 2022-08-09 |
公开(公告)号: | CN218215217U | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 王瀚;杨振域;龚塞;郑岳亮;王超 | 申请(专利权)人: | 中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人: | 冷泠 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 外延 清洗 设备 吹干 | ||
本实用新型公开了用于外延预清洗设备的热氮吹干槽,包括槽体,所述槽体的顶部通过合页活动安装有槽盖,所述槽盖的底部设置有红外发射器,所述槽体的两侧内壁皆设置有放置板,所述放置板的下方设置有槽板,所述槽板的表面开设有槽孔,所述槽体的底部和内壁皆环绕设置有管路,所述槽体内部的底端设置有管体,所述管体和管路之间相互贯通连接,所述管路的一端贯穿槽体设置有连接头。该用于外延预清洗设备的热氮吹干槽,在进行日常使用的过程中,增加更改槽底部开孔数量,增加氮气吹扫管路,硅片吹扫时间从450秒到600秒,变为300秒,清洗结束硅片上无水渍,清洗效果良好,装载硅片夹具无残留水渍,预防触碰残留化学品的危险操作。
技术领域
本实用新型涉及硅片加工技术领域,具体为用于外延预清洗设备的热氮吹干槽。
背景技术
在米粒大的硅片上,已能集成16万个晶体管,这是科学技术进步的又一个里程碑,地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一,对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言,储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一,硅片外延预清洗设备,清洗结束后硅片上有水渍,不能完全烘干,需要通过专门热氮吹干设备进行吹干。
现有的热氮吹干设备结构比较简单,功能比较单一,对于硅片吹干的整体效果不佳,且对于硅片吹干的整体效率也比较低,大大增加了吹干的整体成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供用于外延预清洗设备的热氮吹干槽,以解决上述背景技术中提出的现有热氮吹干设备结构比较简单,功能比较单一,对于硅片吹干的整体效果不佳,且对于硅片吹干的整体效率也比较低,大大增加了吹干的整体成本的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:用于外延预清洗设备的热氮吹干槽,包括槽体,所述槽体的顶部通过合页活动安装有槽盖,所述槽盖的底部设置有红外发射器,所述槽体的两侧内壁皆设置有放置板,所述放置板的下方设置有槽板,所述槽板的表面开设有槽孔,所述槽体的底部和内壁皆环绕设置有管路,所述槽体内部的底端设置有管体,所述管体和管路之间相互贯通连接,所述管路的一端贯穿槽体设置有连接头,所述槽体的一侧表面设置有翅片加热器。
优选的,所述槽体的底部靠近四个边角处皆设置有支撑腿,且支撑腿的底端皆设置有吸盘。
优选的,所述槽体底部一侧设置有排放口,且排放口上设置有控制阀。
优选的,所述槽盖的顶部设置有把手,所述槽盖的一侧靠近两端处皆设置有锁扣,且锁扣对应的槽体顶部两侧皆设置有锁座。
优选的,所述槽盖的底部外沿环绕设置有密封垫,所述密封垫的材质为橡胶,且槽体内口有效尺寸为长×宽×高=470mm×370mm×400mm。
优选的,所述槽体的一侧表面固定安装有控制按钮,且控制按钮的输出端通过导线与红外发射器和翅片加热器的输入端电性连接。
优选的,所述槽体的一侧表面固定安装有蓄电池,且蓄电池的输出端通过导线与红外发射器和翅片加热器的输入端电性连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
该用于外延预清洗设备的热氮吹干槽,在进行日常使用的过程中,增加更改槽底部开孔数量,增加氮气吹扫管路,硅片吹扫时间从450秒到600秒,变为300秒,清洗结束硅片上无水渍,清洗效果良好,装载硅片夹具无残留水渍,预防触碰残留化学品的危险操作。
该用于外延预清洗设备的热氮吹干槽,在进行日常使用的过程中,增加更改槽底部开孔数量,增加氮气吹扫管路,更改吹扫气流方向及数量的方法,从而使硅片清洗后无水渍残留,达到更好的烘干效果。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的槽体内部俯视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造