[实用新型]IGBT过流保护电路

说明书

本实用新型涉及IGBT保护电路技术领域。所提供的IGBT过流保护电路，包括IGBT1，其特征在于，还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路。本实用新型提供的IGBT过流保护电路，可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏；依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作，依据硬件电路进行关断IGBT，具有动作快速、准确、可靠的优点；由于IGBT的导通压降一般在0.7‑5V以内变化，导通压降比较低，因此即使流通IGBT的电流大幅度变化，导通电压的dv/dt也很小，因此电路不易受干扰。

技术领域

本实用新型涉及IGBT保护电路技术领域，具体涉及IGBT过流保护电路。

背景技术

IGBT的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，中文名称是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

和其他晶体管一样，IGBT的工作电流也有限定，当流通IGBT的电流过大时将会导致IGBT损坏，IGBT损坏之后会导致后续电路功能失效，严重时还会导致后续电路损坏。

现有技术中普遍采用检测流通IGBT的电流的方式对IGBT进行过流保护，对电流的检测的方式通常采用电流采样传感器及相关电路，当电流采样传感器或相关电路损坏时，此时IGBT将失去过流保护的功能，由此容易导致IGBT因过流而损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供IGBT过流保护电路。

本实用新型采用以下技术方案：

IGBT过流保护电路，包括IGBT1，其特征在于，还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路；

所述IGBT1的门极接所述主控电路的PWM驱动信号端P1、集电极通过负载RL1接电源HV、发射极接地GND，

所述电压检测电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、稳压二极管ZD1、NPN型三极管Q1；

所述二极管D1的阳极以及所述二极管D2的阳极接所述主控电路的PWM驱动信号端P1，

所述二极管D2的阴极通过所述电阻R2接所述稳压二极管ZD1的阴极；

所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R3接电源Vcc、集电极通过所述电容C2接地GND、集电极接所述二极管D4的阴极、发射极接地GND、基极接所述稳压二极管ZD1的阳极，

所述稳压二极管ZD1的阴极通过所述电阻R1接所述二极管D3的阳极、阴极通过所述电容C1接地GND，

所述二极管D3的阴极接所述IGBT1的集电极；

所述电压比较电路包括比较器U1、电阻R41、电阻R42；

所述比较器U1的同相输入端接所述二极管D4的阳极且通过所述电阻R42接电源Vcc，反向输入端接参考电压发生电路的输出端，输出端通过所述电阻R41接电源Vcc，输出端接所述二极管D1的阴极，输出端接所述主控电路的电压检测端P2；

所述IGBT1的发射极与集电极之间正向连接二极管D5。

本实用新型提供的IGBT过流保护电路，可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏；依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作，依据硬件电路进行关断IGBT，具有动作快速、准确、可靠的优点；由于IGBT的导通压降一般在0.7-5V以内变化，导通压降比较低，因此即使流通IGBT的电流大幅度变化，导通电压的dv/dt也很小，因此电路不易受干扰。

附图说明