[实用新型]IGBT过流保护电路有效

专利信息
申请号: 202222082348.2 申请日: 2022-08-04
公开(公告)号: CN218850747U 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 甘健宏 申请(专利权)人: 深圳艾为电气技术有限公司
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081;H03K17/567
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区坂田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: igbt 保护 电路
【权利要求书】:

1.IGBT过流保护电路,包括IGBT1,其特征在于,还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路;

所述IGBT1的门极接所述主控电路的PWM驱动信号端P1、集电极通过负载RL1接电源HV、发射极接地GND,

所述电压检测电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、稳压二极管ZD1、NPN型三极管Q1;

所述二极管D1的阳极以及所述二极管D2的阳极接所述主控电路的PWM驱动信号端P1,

所述二极管D2的阴极通过所述电阻R2接所述稳压二极管ZD1的阴极;

所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R3接电源Vcc、集电极通过所述电容C2接地GND、集电极接所述二极管D4的阴极、发射极接地GND、基极接所述稳压二极管ZD1的阳极,

所述稳压二极管ZD1的阴极通过所述电阻R1接所述二极管D3的阳极、阴极通过所述电容C1接地GND,

所述二极管D3的阴极接所述IGBT1的集电极;

所述电压比较电路包括比较器U1、电阻R41、电阻R42;

所述比较器U1的同相输入端接所述二极管D4的阳极且通过所述电阻R42接电源Vcc,反向输入端接参考电压发生电路的输出端,输出端通过所述电阻R41接电源Vcc,输出端接所述二极管D1的阴极,输出端接所述主控电路的电压检测端P2;

所述IGBT1的发射极与集电极之间正向连接二极管D5。

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