[实用新型]一种附载体极薄铜箔的生产装置有效
申请号: | 202222007018.7 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN218115584U | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 吕吉庆;齐朋伟;齐素杰;杨红光;金荣涛 | 申请(专利权)人: | 九江德福科技股份有限公司;甘肃德福新材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/14;C25D17/00;C25D7/06;C23C28/02 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 孙健 |
地址: | 332005 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 载体 铜箔 生产 装置 | ||
本实用新型涉及一种附载体极薄铜箔的生产装置,包括设于真空仓室内的溅射蒸镀模块及外置的电镀加厚模块,所述真空仓室内还设有用于持续转运载体箔材的卷绕系统。所述溅射蒸镀模块包括依次布置且互相连通的放卷仓、第一金属层真空溅射仓、第二金属层真空蒸镀仓、第三金属层真空溅射仓及收卷仓,其中所述第二金属层真空蒸镀仓内设有正对所述载体箔材正面的第二金属层真空蒸镀模块,所述第二金属层真空蒸镀模块包括交错布置的金属源以及配体分子源。通过在蒸镀仓的金属蒸镀源附近交替设置配体分子源,在制作铜箔的剥离层时,可同时蒸镀金属和作为配体的有机小分子,如此原位形成组分稳定的金属络合物膜层,使产品能够维持稳定一致的载体剥离能力。
技术领域
本实用新型属极薄铜箔技术领域,特别是涉及一种附载体极薄铜箔的生产装置。
背景技术
近年来电子产品行业发展迅速,在功能越来越齐全的基础上,产品整体也变得越来越轻薄,其中集成电路板制造技术正在进行快速的更新迭代。传统的集成电路板制备方法已经越来越难以适应更小线宽线距的电路制造需求,因此改良型半加成法(mSAP)应运而生。mSAP过程中需要用到极薄铜箔(厚度小于5μm的铜箔),以达到线路闪蚀的目的,但是极薄铜箔的制备方法复杂,产品质量稳定性较低,因此是当前集成电路行业发展过程中的一大挑战。
极薄铜箔由于其极薄的厚度和自身抗拉强度,使其难以通过现有表面处理设备进行表面处理,因此附载体极薄铜箔成为当前的研究热点。附载体极薄铜箔主要包括起物理支撑作用的载体层、防止各功能层相互扩散的阻挡层、实现膜层分离功能的剥离层和极薄铜层,其中剥离层是整个附载体极薄铜箔制造过程中的关键。目前常用作剥离层的材料分金属和非金属两大类:金属类剥离层材料包括Ni/Mo/Co/Cr/Fe/Ti/W/Zn的单质或合金,制备方法包括电镀、化学镀、磁控溅射以及物理蒸镀;非金属类剥离层材料包括碳类、羧酸类小分子、咪唑类小分子及其混合物,制备方法包括浸渍、喷雾、涂布等方式。但是利用现有的工艺方法都存在一些问题,造成产品量产可控性较低,产品质量参差不齐,合格率低等一系列问题。比如电镀金属或者合金作为剥离层时,剥离力的大小受金属组分和界面状态的影响非常大,且可行性窗口区间较小,因此必须配套及其严苛的工艺控制体系才能实现连续稳定生产。利用真空镀膜的方法制备金属剥离层能够在膜层连续性和均一性方面得到提升,但是溅射的金属往往具有较强的结合力,尤其是极薄铜箔经过高温压板后,剥离层的结合力较大,在载体基材表面粗糙度较大时易出现局部粘连,因此对载体箔材的表面轮廓要求较高,生产难度增大。采用浸渍、涂布等方法制备非金属类材料作为剥离层时,剥离效果较好,但常出现剥离层不连续、不均匀或者电镀加厚时出现局部无法电镀等问题,因此较易出现局部粘连和极薄铜箔中存在大量针孔的问题。
一方面,真空镀膜的方法具有膜层连续、厚度均匀等特点,尤其是在剥离层表面溅射铜种子层,会极大地降低后续电镀加厚中的针孔问题。另一方面,一些有机小分子能够提供较为可控的剥离强度,但是其成膜均匀性较差,大大降低了生产的连续性和产品质量稳定性。因此如何开发出一种新的剥离层,使其兼具稳定的剥离能力和较好的连续性是目前载体铜箔制造中的最大挑战。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种附载体极薄铜箔的生产装置,解决目前附载体极薄铜箔生产较难、工艺稳定性差、合格率低的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种附载体极薄铜箔的生产装置,包括设于真空仓室内的溅射蒸镀模块及外置的电镀加厚模块,所述真空仓室内还设有用于持续转运载体箔材的卷绕系统,其特征在于,所述溅射蒸镀模块包括依次布置且互相连通的放卷仓、第一金属层真空溅射仓、第二金属层真空蒸镀仓、第三金属层真空溅射仓及收卷仓,所述卷绕系统使载体箔材自所述放卷仓开始放卷,随后依次通过所述第一金属层真空溅射仓、第二金属层真空蒸镀仓、第三金属层真空溅射仓,最后进入所述收卷仓内完成收卷,
所述第一金属层真空溅射仓内设有正对所述载体箔材正面的离子源处理模块及第一金属层真空溅射模块;
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