[实用新型]降低封装难度的三基色发光二极管芯片

权利要求书

1.一种降低封装难度的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片包括：透明基板(10)、第一外延层(21)、第二外延层(22)、第三外延层(23)、第一透明导电层(31)、第二透明导电层(32)、第三透明导电层(33)、第一电极(41)、第二电极(42)、第三电极(43)和第四电极(44)；

所述第一外延层(21)、所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)、所述第二外延层(22)、所述第三透明导电层(33)和所述第三外延层(23)依次层叠于所述透明基板(10)上，所述第三外延层(23)的表面具有位于所述第三外延层(23)的边缘的第一凹槽(201)、第二凹槽(202)、第三凹槽(203)和第四凹槽(204)；

所述第一凹槽(201)从所述第三外延层(23)至少延伸至所述第三透明导电层(33)，所述第一电极(41)位于所述第一凹槽(201)内且延伸至所述透明基板(10)，所述第一电极(41)与所述第三透明导电层(33)连接；

所述第二凹槽(202)从所述第三外延层(23)至少延伸至所述第二透明导电层(32)，所述第二电极(42)位于所述第二凹槽(202)内且延伸至所述透明基板(10)，所述第二电极(42)与所述第二透明导电层(32)连接；

所述第三凹槽(203)从所述第三外延层(23)至少延伸至所述第一透明导电层(31)，所述第三电极(43)位于所述第三凹槽(203)内且延伸至所述透明基板(10)，所述第三电极(43)与所述第一透明导电层(31)连接；

所述第四凹槽(204)从所述第三外延层(23)至少延伸至所述第一外延层(21)，以露出所述第一外延层(21)的半导体层、所述第二外延层(22)的半导体层，所述第四电极(44)位于所述第四凹槽(204)内且延伸至所述透明基板(10)，所述第四电极(44)分别与所述第一外延层(21)的半导体层、所述第二外延层(22)的半导体层、所述第三外延层(23)的半导体层连接。

2.根据权利要求1所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极(41)、所述第二电极(42)、所述第三电极(43)和所述第四电极(44)的厚度相同，且所述第一电极(41)的厚度不小于，所述第一外延层(21)、所述第二外延层(22)、所述第三外延层(23)、所述第一透明导电层(31)、所述第二透明导电层(32)和所述第三透明导电层(33)的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极(41)的厚度不小于10μm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片还包括绝缘层(50)和第一金属层(61)；

所述绝缘层(50)位于所述第三外延层(23)的表面且延伸至所述第一凹槽(201)，所述绝缘层(50)具有露出所述第三透明导电层(33)的第一通孔(51)，所述第一金属层(61)位于所述绝缘层(50)上，所述第一金属层(61)通过所述第一凹槽(201)延伸至所述第一通孔(51)和所述透明基板(10)，所述第一电极(41)位于所述第一金属层(61)上。

5.根据权利要求4所述的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片还包括第二金属层(62)；

所述绝缘层(50)还延伸至所述第二凹槽(202)，所述绝缘层(50)具有露出所述第二透明导电层(32)的第二通孔(52)，所述第二金属层(62)位于所述绝缘层(50)上，所述第二金属层(62)通过所述第二凹槽(202)延伸至所述第二通孔(52)和所述透明基板(10)，所述第二电极(42)位于所述第二金属层(62)上。