[实用新型]一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构

权利要求书

1.一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，自下而上依次包括法兰、导热片、过渡环、载体、陶瓷框、引线和封接环，其中，所述法兰和导热片为高导热率的铜基合金或复合材料，用于射频功率管的机械支撑和散热；

所述过渡环为热膨胀系数与氧化铝陶瓷相匹配的金属材料，中间开有腔体，所述载体装入过渡环的腔体内；

其特征在于：所述陶瓷框外轮廓为圆形结构，所述陶瓷框为基于高温共烧多层陶瓷工艺的双层氧化铝陶瓷框，陶瓷框下表面制作的金属化用于焊接过渡环，陶瓷框上表面制作的金属化用于焊接封接环，双层陶瓷之间的内埋层金属化图形为射频功率管的信号传输线。

2.根据权利要求1所述的金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于，

所述陶瓷框上靠近轮廓边缘处的上表面对应引线焊接的位置设有焊接引线用的引线连接腔，所述引线连接腔的外轮廓边缘为直边。

3.根据权利要求1所述的金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于，

所述载体为双面金属化的陶瓷材料，表面用于贴装射频功率晶体管芯片。

4.根据权利要求1所述的金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于，

所述引线为双进双出结构。

5.根据权利要求1所述的金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于：所述陶瓷框具有呈矩形结构的内腔，所述封接环为与所述内腔相配合的矩形结构。

6.根据权利要求1所述的一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于：所述法兰P1和导热片P2材料为钨铜或Cu-MoCu-Cu。

7.根据权利要求1所述的一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于：所述过渡环P3材料为铁镍合金、铁镍钴合金或钨铜合金中的任意一种，过渡环的厚度为0.25mm~1mm。

8.根据权利要求1所述的一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于：所述载体材料为氧化铍陶瓷或氮化铝陶瓷。

9.根据权利要求1所述的一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于：所述引线P6和封接环P7材料为铁镍合金或铁镍钴合金。

10.根据权利要求1所述的一种金锡封帽气密防潮射频功率管外壳底座结构，其特征在于：所述法兰的中部带有圆形凸台，圆形凸台用于调节引脚到外壳底面的高度差，圆形凸台的直径小于所述导热片的直径。