[实用新型]一种芯片结构有效

专利信息
申请号: 202221456769.0 申请日: 2022-06-10
公开(公告)号: CN217719643U 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 林志伟;陈凯轩;柯志杰;蔡建九;刘英策;艾国齐 申请(专利权)人: 厦门未来显示技术研究院有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00;H01B17/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 柳虹
地址: 361006 福建省厦门市厦门火炬高新*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 结构
【说明书】:

本申请提供了一种芯片结构,该芯片结构包括:外延结构,外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层,第一型半导体层远离有源层一侧设置的第一电极和第二电极,第一电极与第一型半导体层相连,第二电极与透明导电层相连,在平行于第一型半导体层表面的方向上,第一电极和第二电极之间设置有绝缘结构,以使第一电极和第二电极绝缘。从而通过设置绝缘结构,可以降低芯片电极短路风险,提高芯片的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种芯片结构。

背景技术

随着发光二极管的快速发展,LED(light emitting diode,发光二极管)的应用日新月异,特别是LED在显示技术的发展。随着LED显示屏的分辨率越做越高,LED芯片的间距越来越小,芯片尺寸也越来越小。

随着芯片尺寸的变小,LED的间距也越来越小,LED电极的打线和键合变得不容易,造成短路风险较大,影响LED的发光效率和可靠性。

实用新型内容

有鉴于此,本申请的目的在于提供一种芯片结构,可以降低电离短路风险,提升芯片可靠性。

提供该发明内容部分以便以简要的形式介绍构思,这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该发明内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。

为实现上述目的,本申请有如下技术方案:

第一方面,本申请实施例提供了一种芯片结构,包括:

外延结构,所述外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层;

所述第一型半导体层远离所述有源层一侧设置的第一电极和第二电极;

所述第一电极与第一型半导体层相连,所述第二电极与透明导电层相连;

在平行于所述第一型半导体层表面的方向上,所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘结构,以使所述第一电极和所述第二电极绝缘。

在一种可能的实现方式中,所述绝缘结构包括层叠设置的第一透明基板、反射镜和总绝缘层。

在一种可能的实现方式中,所述绝缘结构包括层叠设置的第二透明基板和绝缘布拉格反射层。

在一种可能的实现方式中,所述绝缘结构包括第三基板。

在一种可能的实现方式中,所述第一电极与第一型半导体层相连,所述第二电极与透明导电层相连,包括:

所述第一电极通过第一导电通道与所述第一型半导体层相连;

所述第二电极通过第二导电通道与所述透明导电层相连。

所述第一导电通道和/或第二导电通道的侧壁设置有隔离层。

在一种可能的实现方式中,所述第一透明基板、所述第二透明基板和所述第三基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧,且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧。

在一种可能的实现方式中,位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧,且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧的所述第一透明基板、所述第二透明基板和所述第三基板的远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。

在一种可能的实现方式中,所述总绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层;

在垂直于所述第一型半导体层表面的方向上,所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述反射镜的一侧;

在平行于所述第一型半导体层表面的方向上,所述第一绝缘层位于所述第一导电通道和所述第二导电通道之间;

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