[实用新型]一种芯片结构

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和透明导电层；

所述第一型半导体层远离所述有源层一侧设置的第一电极和第二电极；

所述第一电极与所述第一型半导体层相连，所述第二电极与所述透明导电层相连；

在平行于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘结构，以使所述第一电极和所述第二电极绝缘。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘结构包括层叠设置的第一透明基板、反射镜和总绝缘层。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘结构包括层叠设置的第二透明基板和绝缘布拉格反射层。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘结构包括第三基板。

5.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述第一电极与所述第一型半导体层相连，所述第二电极与所述透明导电层相连，包括：

所述第一电极通过第一导电通道与所述第一型半导体层相连；

所述第二电极通过第二导电通道与所述透明导电层相连；

所述第一导电通道和/或第二导电通道的侧壁设置有隔离层。

6.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，包括：

所述第一透明基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧。

7.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，包括：

所述第二透明基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧。

8.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，包括：

所述第三基板位于所述第一电极远离所述第二电极的一侧，且位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧。

9.根据权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，包括：

所述第一透明基板的远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。

10.根据权利要求7所述的芯片结构，其特征在于，包括：

所述第二透明基板的远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。

11.根据权利要求8所述的芯片结构，其特征在于，包括：

所述第三基板的远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。

12.根据权利要求5所述的芯片结构，其特征在于，所述总绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；

在垂直于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述反射镜的一侧；

在平行于所述第一型半导体层表面的方向上，所述第一绝缘层位于所述第一导电通道和所述第二导电通道之间；

所述第二绝缘层远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。

13.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘布拉格反射层远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。

14.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述第三基板远离所述第一型半导体层一侧的表面超出所述第一电极和所述第二电极的远离所述第一型半导体层一侧的表面。