[实用新型]正装发光二极管和显示装置

说明书

正装发光二极管，包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm，可作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，具体涉及一种正装发光二极管和显示装置。

背景技术

发光二极管作为光源在照明领域、显示领域已得到迅速发展，尤其是在背光显示领域。近年来，背光显示领域对于显示器件的显示效果提出了更高要求，亚毫米发光二极管（Mini LED）作为传统发光二极管的改良版本，被迅速推广，其能够明显提升显示器件的显示效果。

Mini LED需具有良好的出光效果，提升其出光效果的方法有两种，一种为MiniLED的倒装设计，另一种为控制Mini LED的出光角度，出光角度的大小直接决定Mini LED的多项光学性能表现。

然而Mini LED的倒装结构成本更高，对下游的显示器件厂商来说是一个限制背光显示器市场的重要因素，因此急需要设计一种相对廉价的且替代性强的发光二极管，既能够满足显示需求，包括亮度、亮度均匀性和可靠性的需求，且能够保证成本更低。

发明内容

本专利提供一种能降低显示装置的成本的正装发光二极管，并且能够保证显示装置需求的亮度强度以及亮度均匀性，同时能够保证正装的芯片打线可靠性，还能提升制作良率。

具体的该正装发光二极管，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；

光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm。

本发明具体的至少能实现如下技术效果：

根据本发明的正装发光二极管的第一绝缘性堆叠层设置为合适的几何厚度，可以实现正装大角度出光，保证正面亮度较高的同时，降低光损失；并且能够保证第一绝缘性堆叠层能够稳定的覆盖在电极的上表面保证第一绝缘性堆叠层对电极的覆盖性，同时还能够降低整个芯片的翘曲的风险，提升芯片的制作良率。该芯片结构适用于作为背光显示装置的光源，保证背光显示的光源较高的光均匀性。可替代传统的小尺寸的倒装的发光二极管，可以降低整个背光显示装置的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1实施例一的正装发光二极管的俯视结构示意图，其中第一金属电极、第二金属电极在衬底上方。

图2实施例一的正装发光二极管的穿过第一金属电极的打线部分的剖面结构示意图。

图3为实施例一的正装发光二极管的穿过第一金属电极的扩展条部分的剖面结构示意图。

图4为实施例一的正装发光二极管的穿过第一金属电极的打线部分的剖面结构示意图，第一金属电极的打线部分的上方有金球。

图5为实施例二的正装发光二极管上的一种第一绝缘性堆叠层的几何厚度关系曲线图。