[实用新型]正装发光二极管和显示装置

权利要求书

1.一种正装发光二极管，其包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；

其特征是：光学薄膜堆叠层，形成在半导体堆叠层上；所述光学薄膜堆叠层包括第一绝缘性堆叠层，所述第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的相对低折射率的第一材料层和相对高折射率的第二材料层，所述的第一绝缘性堆叠层的几何厚度为500~1000 nm。

2.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：进一步包括第一金属电极和第二金属电极在所述的半导体堆叠层上，所述的第一金属电极和第二金属电极分别包括打线部分；

所述的第一绝缘性堆叠层同时覆盖在第一金属电极和第二金属电极的上表面上，并且在第一金属电极和第二金属电极打线部分的上表面上设置有通孔，露出第一金属电极和第二金属电极的打线部分的部分上表面。

3.根据权利要求2所述的正装发光二极管，其特征在于：所述通孔的侧壁包括底部和顶部，其中通孔的侧壁顶部边缘与所述的第一金属电极或第二金属电极的打线部分上表面的边缘水平距离至少为2微米，至多10微米。

4.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的第一绝缘性堆叠层包括重复叠置的第一材料层和第二材料层的对数为3~10对。

5.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘性堆叠层具有底层，底层的几何厚度不超过80~400nm。

6.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：第一绝缘性堆叠层的第一材料层为低折射率材料层，几何厚度为50~100nm；第二材料层为高折射率材料层，几何厚度为30~60nm。

7.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的衬底的第二表面上有背面反射层，第二膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，背面反射层的几何厚度高于第一绝缘性堆叠层的几何厚度，背面反射层的重复叠置的第一材料层和第二材料层的对数高于第一绝缘性堆叠层的第一材料层和第二材料层的对数。

8.根据权利要求7所述的正装发光二极管，其特征在于：背面反射层的几何厚度为所述的半导体堆叠层上的第一绝缘性堆叠层的几何厚度的2倍以上。

9.根据权利要求7所述的正装发光二极管，其特征在于：背面反射层的几何厚度为3~6微米，包括重复叠置的第一材料层和第二材料层的对数为15对以上。

10.根据权利要求7所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的半导体堆叠层上的背面反射层的层数为30~60层。

11.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：所述的衬底的厚度尺寸为80微米以上，200微米以下。

12.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：进一步包括第一金属电极和第二金属电极在所述的半导体堆叠层上，所述的第一金属电极和第二金属电极分别包括打线部分；打线部分包括内部金属层位于第一绝缘性堆叠层之下，包括外部金属层位于第一绝缘性堆叠层之上。

13.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：半导体堆叠层由下至上包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一绝缘性堆叠层的边缘与第一半导体层的边缘对齐。

14.根据权利要求1所述的正装发光二极管，其特征在于：正装发光发光二极管的衬底的长度跟宽度的比例是大于等于2：1。

15.一种显示装置，其包括权利要求1~14任一项的所述的正装发光二极管，并且正装发光二极管的数量为百颗以上。