[实用新型]一种半导体发光元件

说明书

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种半导体发光元件，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层电性连接的第一电极和第二电极，所述第二电极包括焊盘部和延伸部，所述第二电极和第二半导体层之间还设置有电流阻挡层和电流扩展层，所述电流扩展层覆盖电流阻挡层和第二半导体层的表面，且电流扩展层具有暴露第二半导体层的第一通孔，所述第一通孔位于电流阻挡层的边缘。本实用新型可以有效改善电流阻挡层边缘的电流拥堵现象，提升发光二极管的抗静电能力。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。随着LED技术不断发展，在其受到越来越广泛的应用的同时，也面临着越来越高的要求，尤其是LED的发光效率和抗静电性能。

目前，LED的P电极的下方常通过设置电流阻挡层，以避免电流过于集中在电极处，而导致的电压升高，抗静电能力差。但是，由于电流阻挡层的存在，电流仅存在横向扩展，最终电流会拥堵于电流阻挡层的边缘，仍会导致电压升高，产生静电失效的异常。因此如何进一步提高发光二极管的抗静电能力一直是亟需解决的问题。

说明内容

为了进一步提高发光二极管的抗静电能力，本实用新型提供了如下的解决方案：

一种半导体发光元件，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层电性连接的第一电极和第二电极，所述第二电极包括焊盘部和延伸部，所述第二电极和第二半导体层之间还设置有电流阻挡层和电流扩展层，所述电流扩展层覆盖电流阻挡层和第二半导体层的表面，且电流扩展层具有暴露第二半导体层的第一通孔，所述第一通孔位于电流阻挡层的边缘。

优选的，所述第一通孔暴露第二半导体层和电流阻挡层。

优选的，所述第一通孔暴露第二半导体层的面积不小于暴露电流阻挡层的面积。

优选的，所述第一通孔暴露第二半导体层，而不暴露电流阻挡层。

优选的，所述第一通孔与电流阻挡层的侧面相切。

优选的，所述第一通孔间隔设置，且相邻的第一通孔间距为8~25μm。

优选的，相邻所述第一通孔的间距由焊盘部向延伸部的方向上逐渐减小或者逐渐增加或者相同。

优选的，所述第一通孔对称或非对称的设置于电流阻挡层的两侧。

优选的，所述电流扩展层还具有第二通孔，所述第二通孔设置于远离第二电极，且靠近第一电极的位置。

优选的，所述第一通孔或第二通孔呈圆形、椭圆形、梯形或多边形。

优选的，所述第一通孔呈等腰梯形，且其较长的底边位于第二半导体层所在区域，其较短的底边位于电流阻挡层所在区域。

本实用新型通过设计在电流阻挡层的边缘对电流扩展层开图形成第一通孔，实现将拥堵于电流阻挡层边缘区域的电流，通过纵向扩展的形式引入第二半导体层，以改善电流拥堵现象，降低产生的ESD爆点、静电失效的异常，从而提升发光二极管的抗静电能力。

附图说明

图1为本实用新型之实施例1之半导体发光元件之俯视结构示意图。

图2为图1线A-A’的剖视图。

图3为本实用新型之实施例1之其中一种半导体发光元件之俯视结构示意图。

图4为本实用新型之实施例1之另一种半导体发光元件之俯视结构示意图。