[实用新型]一种硅片厚度测量装置

说明书

本公开提供一种硅片厚度测量装置，包括：承载台，包括用于承载所述硅片的承载面；接触式探针，可移动地设置于所述承载面一侧，能够在所述硅片表面划动以随所述硅片厚度变化而在垂直于所述承载面方向上运动；电容感应组件，包括电容感应腔室及可移动地设置于所述电容感应腔室内的电容干扰片，所述电容干扰片在所述电容感应腔室内运动时所述电容感应腔室的感应电容变化；及联动组件，连接在所述接触式探针与所述电容干扰片之间，能够在所述接触式探针在垂直于所述承载面方向上运动时，带动所述电容干扰片在所述电容感应腔室内运动。本公开实施例提供的硅片厚度测量装置能够提高硅片厚度测量准确度。

技术领域

本实用新型涉及半导体硅片加工技术领域，尤其涉及一种硅片厚度测量装置。

背景技术

在半导体硅片加工技术领域，硅晶棒经过外周滚磨、V形槽研磨、多线切割、脱胶清洗、双面研磨等加工工艺制成硅片之后，为了进一步达到硅片的目标厚度，通常会采用化学刻蚀或者物理减薄等方式来减薄硅片的厚度。在硅片减薄过程中，对于硅片厚度进行实时监控至关重要。通过对硅片的厚度监控，一方面，可确保产品过程监控及品质；另一方面，可有效地对加工过程进行检测实时反映当前加工设备的状态，例如，设备状态是否异常等，这样可以第一时间针对设备异常情况进行控制，以减少损失。

在相关技术中，采用非接触电容法进行硅片厚度测量的方法是：在硅片上侧和下侧分别设置上、下电容传感器，测量不同厚度硅片对电容介电常数的影响而产生的电容变化，通过该电容变化来换算硅片的厚度。

这一方法存在如下问题：影响上、下电容传感器之间的电容变化的因素不仅仅是硅片厚度，硅片本身也存在电阻率变化，硅片的电阻率也会影响介电常数，导致测量结果不准确。一旦测量出现误测，在实际监控过程中就会出现设备处置不及时，导致异常产品掉落至客户端等问题，进而影响产品品质。

实用新型内容

本公开实施例提供了一种硅片厚度测量装置，能够提高硅片厚度测量准确度。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

一种硅片厚度测量装置，用于测量硅片厚度，所述硅片厚度测量装置包括：

承载台，包括用于承载所述硅片的承载面；

接触式探针，可移动地设置于所述承载面一侧，能够在所述硅片表面划动以随所述硅片厚度变化而在垂直于所述承载面方向上运动；

电容感应组件，包括电容感应腔室及可移动地设置于所述电容感应腔室内的电容干扰片，所述电容干扰片在所述电容感应腔室内运动时所述电容感应腔室的感应电容变化；及

联动组件，连接在所述接触式探针与所述电容干扰片之间，能够在所述接触式探针在垂直于所述承载面方向上运动时，带动所述电容干扰片在所述电容感应腔室内运动。

示例性的，所述联动组件包括：

连杆，所述连杆的两端分别连接至所述接触式探针和所述电容干扰片；及

固定支点，所述固定支点枢接于所述连杆的中部，所述连杆的两端可绕所述固定支点摆动。

示例性的，在所述连杆的长度方向上，所述固定支点到所述接触式探针之间的距离小于所述固定支点到所述电容干扰片之间的距离。

示例性的，所述连杆与所述接触式探针之间通过第一联动轴活动连接，所述连杆与所述电容干扰片之间通过第二联动轴活动连接。

示例性的，所述接触式探针以垂直于所述承载面的方向设置，其包括用于接触所述硅片的第一端及远离所述硅片的第二端，所述第一端设有滚动件。

示例性的，所述滚动件包括滑动滚珠、滑动滚轮中的至少一种。

示例性的，所述硅片厚度测量装置还包括：