[实用新型]一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖有效
申请号: | 202220243916.X | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN217182139U | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 卢证凯;邓信甫;廖世保;陈丁堃 | 申请(专利权)人: | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;合肥至汇半导体应用技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人: | 杜冰云;周涛 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 干燥 装置 顶盖 | ||
本实用新型公开了一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖,本实用新型通过在干燥槽体上盖合一个槽体顶盖,利用干燥槽体内的提升机构将晶圆抬升至槽体顶盖,且在晶圆提升过程中,通过槽体顶盖的干燥模组对晶圆进行全方位、无死角干燥,不仅能够保证空间腔体内气氛控制与调节,也能够维持晶圆垂直移动的稳定性,对晶圆进行彻底干燥,提高了晶圆的干燥效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体晶圆清洗干燥设备技术领域,尤其涉及一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖。
背景技术
晶圆制造过程中,由于晶圆表面极易吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷,因而需要晶圆清洗工艺去除这些缺陷,且晶圆清洗技术已经成为使用频次最高的工艺。随着集成电路(IC)制造技术的发展,对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。晶圆干燥作为晶圆清洗的最后一道工艺,采用一定的方式将清洗后残留在表面上的去离子水剥离。而如果直接采用蒸发的方式,晶圆表面将产生水痕缺陷,即形成新的污染,所以恰当的晶圆干燥技术对保证晶圆表面清洁性至关重要。
目前,最先进的晶圆干燥技术是Marangoni干燥,该干燥技术在将晶圆从去离子水中提拉过程中,通过在气液界面弯月面处喷射低表面张力物质诱导产生Marangoni效应,从而实现晶圆表面卷吸水膜的完整剥离和干燥。由于晶圆表面物化特性复杂,例如晶圆表面通常存在微结构且为异质表面,故而晶圆的干燥工艺调试过程复杂,耗时且成本高昂。且Marangoni干燥技术存在些许干燥盲点,无法对晶圆进行全方位干燥。
发明内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖,用以解决上述背景技术中存在的问题。
一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖,所述槽体顶盖盖合在晶圆干燥装置的干燥槽体上,槽体顶盖的一端部设置有用于容纳晶圆干燥装置的提升机构的提升衔接腔,槽体顶盖的内壁上设置有固定槽和干燥模组,干燥模组包括用于向晶圆上端喷送干燥气体的第一气体喷淋管、用于向晶圆中心以上部位喷送干燥气体的第二气体喷淋管、以及用于向晶圆中心以下部位喷送干燥气体的第三气体喷淋管。
优选地,所述提升衔接腔与槽体顶盖的内腔室相连通。
优选地,所述第一气体喷淋管、第二气体喷淋管和第三气体喷淋管分别固定在槽体顶盖的前、后内壁上。
优选地,所述第一气体喷淋管喷射出的干燥气体与晶圆的中心法线成30度角,第二气体喷淋管喷射出的干燥气体与晶圆的中心法线成45度角,第三气体喷淋管喷射出的干燥气体与晶圆的中心法线成135度角。
优选地,所述干燥气体为异丙醇与氮气的混合物。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型通过在干燥槽体上盖合一个槽体顶盖,使干燥槽体和槽体顶盖组成一个完全密闭的空间,在晶圆提升过程中,能够在该空间内对晶圆进行全方位、无死角干燥,且通过设置三组特殊角度的气体喷淋管,不仅能够保证空间腔体内气氛控制与调节,也能够维持晶圆垂直移动的稳定性,对晶圆进行彻底干燥,提高了晶圆的干燥效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是晶圆干燥装置的结构示意图。
图2是干燥槽体的结构示意图。
图3是槽体顶盖的结构示意图。
图4是提升机构的结构示意图。
图5是槽盒安装板及第一卡槽结构和第二卡槽结构的结构示意图。
图中标号的含义为:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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